一般雜質總含量在10-5以下的金屬鎵。按鎵含量分為5N,6N,7N和8N共四種級別。質軟,淡藍色光澤。熔點29.78℃。沸點2403℃。斜方晶型,各向異性顯著。0℃的電阻率沿a,b,c三個軸分別為1.75×10-6Ω·m,8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超純鎵剩餘電阻率比值ρ300K/ρ4.2K為55 000。採用化學處理、電解精煉、真空蒸餾、區域熔煉、拉單晶等多種工藝方法製備。主要用於電子工業和通訊領域,是製取各種鎵化合物半導體的原料,矽、鍺半導體的摻雜劑,核反應堆的熱交換介質。
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