名稱
各項指標
橙紅色透明晶體。磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型，晶格常數5.447±0.06埃（），化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20％，300K時能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體相同，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為半絕緣材料。磷化鎵分為單晶材料和外延材料。工業生產的襯底單晶均為摻入硫、矽雜質的N型半導體。磷化鎵單晶早期通過液相法在常壓下製備；後採用液體覆蓋直拉法。現代半導體工業生產磷化鎵單晶都是在高壓合成爐中，採用定向凝固工藝合成磷化鎵多晶，進行適當處理後裝入高壓單晶爐進行單晶拉制。磷化鎵外延材料是在磷化鎵單晶襯底上通過液相外延或汽相外延加擴散生長的方法製得。多用於製造發光二極體。液相外延材料可製造紅色、黃綠色、純綠色光的發光二極體，汽相外延加擴散生長的材料，可製造黃色、黃綠色光的發光二極體。
