高純三甲基鎵

高純三甲基鎵，熔點-15.8℃。沸點55.7℃。密度1.10g/cm3。純度≥99.999％。自燃性液體，對空氣和水十分敏感。主要套用於製備高電子遷移率的高純GaAs薄膜、高效GaAs太陽能電池、高雷射功率輸出的二極體等器件。

高純三甲基鎵;high-purity trimethylgallium
分子式：(CH3)3Ga
性質：熔點-15.8℃。沸點55.7℃。密度1.10g/cm3。純度≥99.999％。自燃性液體，對空氣和水十分敏感。採用精密精餾法及加合物法提純製備。是套用製備含鎵化合物和合金最廣泛的鎵源。主要套用於製備高電子遷移率的高純GaAs薄膜、高效GaAs太陽能電池、高雷射功率輸出的二極體等器件。