馮毓材

馮毓材男，1933年生，浙江人。1961年畢業於西安交通大學動力系，空間科學與套用研究中心研究員。

基本信息

• 中文名：馮毓材
• 出生日期：1933年
• 性別：男
• 民族：漢族
• 國籍：中國

人物簡介

主要成果“表面改性用高能寬束髮散場考夫曼離子源”，獲實用新型專利。用於材料大面積表面改性，分三型號，分獲科學院科技進步二等獎、一等獲及國家級成果獎；“材料表面改性用電子束蒸發金屬離子源”獲國家發明專利。研究的“DR-MI-1型雙束動態混合及注入機”，獲國家級成果獎；用於材料離子注入及動態共混；“GKQF-1型高能強流聚焦離子源”，為國家級成果，用於高速濺射鍍膜；“研製的6厘米輔助鍍膜用離子源”，為國家級成果，獲中科院科技進步三等獎。現正從事材料表面改性及各種離子源的設計與研究。