人物經歷
個人履歷
1984.9-1988.7, 北京大學物理系本科學習，1987年考取CUSPEA公派出國項目。
1988.9-1993.8, 美國加州大學UC San Diego物理系博士學習。
1993.9-1996.4, 美國加州大學UCSD磁記錄研究中心(CMRR)博士後研究。
1996.5-1996.10, 新加坡國立大學數據存儲研究所(DSI)訪問研究員。
1996.11-2000.7, 清華大學材料系副教授。
2000.8-至今, 清華大學材料系教授。
社會工作經歷
1997年4月起擔任當時的材料系材料科學教研組教學副主任。
1999年11月起擔任重新組合的、包括原材料科學教研組和金屬材料教研組的教育部先進材料重點實驗室教學副主任。
研究方向
磁性材料和信息存儲工業的基礎理論,信息存儲領域內的各種基本問題。
從納米顆粒磁薄膜的基礎理論出發，精確計算磁薄膜的磁性質，然後用計算機模擬研究信息存儲系統的核心物理過程：0-1信號的讀入讀出過程，並用信號處理的理論分析讀出信號的噪音。從而對在信息存儲系統中實用的高質量納米顆粒磁薄膜的各種材料特性作出清楚的分析。
主要貢獻
在研課題
1. 磁顆粒相互作用對材料磁性質的影響，清華大學基礎研究基金。
2. 磁性材料和信息存儲的基本理論，教育部優秀青年教師資助計畫項目。
3. 金屬合金結構與性能的第一性原理計算的模擬和實驗研究，自然科學基金重點項目，擔任其中的納米金屬顆粒磁薄膜計算的子課題。
科研內容
1． 磁材料基本性質的計算，
2． 硬碟、磁帶、磁計算機記憶體中讀寫二進制數過程的計算模擬；
3． 其他介觀尺度的磁電元件的物理性質研究。
代表性論文：
1. D. Wei and D. P. Arovas,
"Quasi-energy distributions in the kicked Harper Model",
Physics Letters A 158, pp.469-474 (1991).
2. V. Kalmeyer, D. Wei, D. P. Arovas and S. C. Zhang,
"Two-dimensional localization in the presence of random flux and
the Quantum Hall system at even-denominator filling fractions".
Phy. Rev. B, vol.48(15), pp11095-11106, (1993).
3. D. Wei, H. Neal Bertram, Arnon Friedman and R. H. Dee,
"Modeling and analysis of overwrite in thick particulate media",
IEEE Trans. Magn. Vol.31(6) Part I, pp.2898-2900, (1995).
4. D. Wei, H. Neal Bertram and A. Friedmann,
"Signals and nonlinearities in Thin Metal-particle Tape",
J. Appl. Phys. 79(8), pp.5661-5663, 1996.
5. D. Wei and H. Neal Bertram,
"Interlayer coupling and surface roughness in GMR spin valves",
IEEE Trans. Magn. Vol.32(5), pp. 3434-3436, 1996.
6. Dan Wei and Bo Liu,
"Track Edge Asymmetry and Low-Density Noise in Thin Film
Disk Media with Skew Angles",
IEEE Trans. Magn. Vol.33(5), pp.2722-2724, 1997.
7. Dan Wei, Lian-na He and Bo Liu,
"Isolated Pulse Distortion and Medium Noise Analysis for Submicron-
width Narrow Track Recording",
IEEE Trans. Magn. Vol.34(5), pp.3794-3798, 1998.
8. Dan Wei, C. K. Ong and Zheng Yang
"Micromagnetic Studies of Read and write process in Magneto-
resistive Random Access Memory",
J. Appl. Phys., 87(6), pp.3068-3073, 2000.
