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電離損失
電離損失:中性束再電離損失是指束流在漂移管道內與本底中性粒子碰撞產生電離而引起的中性束束流能量的損失。碰撞電離截面特性是直接影響中性束再電離損失的關鍵因...
研究模型 研究結果 -
勢壘
一般在談到半導體的PN結時,就會聯繫到勢壘,這涉及半導體的基礎內容。簡單地說,所謂勢壘也稱位壘,就是在PN結由於電子、空穴的擴散所形成的阻擋層,兩側的電...
基本概念 勢壘的分類 勢壘貫穿 -
離子勢
離子勢(ionic potential)是指離子電荷數(Z)和離子半徑(r,pm)之比值(用Ф表示),即Ф=Z/r。
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pn結勢壘
pn結勢壘就是指pn結的界面存在空間電荷區,該空間電荷區對於載流子而言就是一種能量勢壘。
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碰撞電離雪崩渡越時間二極體
這是一種重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用來產生振盪的。
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電漿隱身技術
轟擊、雷射照射、氣體放電,熱致電離等方法)後,部分原子中的電子脫離原子核...電離而轉變成由大量自由電子、正電離子和部分中性原子組成的巨觀仍呈電中性的電離氣體,這電漿球體圖片類氣體稱為電漿。電漿被認為是繼固態...
概述 利用價值 研究進展 發展前景 局限性 -
第一電離能
的氣態原子生成 H +氣態陽離子所需要的能量, 稱為第一電離勢 ,常用符號 I1 表示 :M (g)——— M +(g)+e。第一電離勢 =I 1(1 可省去)。電離勢應該為正值因為從原子取走電子需要消耗能量。 形成原...
名詞解釋 電離能 形成原因 實際套用 -
電離能
陽離子所需要的能量,稱為第一電離勢,常用符號I1表示:M (g)———M (g)+e第一電離勢=I1(1可省去)。電離勢應該為正值因為從原子取走電子需要消耗能量。元素的原子電離勢越小,表示氣態時越容易失去電子,即該...
形成原因 基本關係 電離能列表 -
分子反應動力學國家重點實驗室
,氣相分子的光解離和光電離,激發態和自由基的反應和傳能動力學,超快化學過程...頻率 20Hz ,單脈衝能量較高,可以用於研究強場下的分子電離解離行為...數據處理功能。目前用這套設備開展了強場下氣相分子的電離解離動力學研究...
實驗室簡介 建設歷程 科研領域 儀器設備 科研支撐