性質:無色、有腐蝕性、不可燃液體,有令人窒息的臭味。曝露於濕空氣時形成濃煙,迅速水解放出氯化氫。熔點-70.0℃。液體密度1483kg/m3(21.1℃)。TLV(按HCl)5×10-6。
其製法是以工業級四氯化矽為原料,採用精餾工藝,或再與吸附工藝相結合進行提純。
電子級四氯化矽,四氯化矽用作半導體矽外延的矽源。由於它的沸點高,可作為優良的低溫矽澱積的源材料。
性質:無色、有腐蝕性、不可燃液體,有令人窒息的臭味。曝露於濕空氣時形成濃煙,迅速水解放出氯化氫。熔點-70.0℃。液體密度1483kg/m3(21.1℃)。TLV(按HCl)5×10-6。
其製法是以工業級四氯化矽為原料,採用精餾工藝,或再與吸附工藝相結合進行提純。
,從而得到顆粒狀多晶矽。改良西門子法和矽烷法主要生產電子級晶體矽,也可以生產...。除了傳統工藝(電子級和太陽能級兼容)及技術升級外,還湧現出了幾種專門...矽烷的製備採用歧化法,即以冶金級矽與SiC14為原料合成矽烷,首先用...
化學性質 生產方法 生產危害 利用價值 技術特徵白炭黑;藥用級白炭黑;GH-7型白炭黑;GH-1A型白炭黑;GH-1B型...的單一市場。製備製備白炭黑的傳統方法是利用矽酸鈉、四氯化矽、正矽酸乙酯做矽源...)法,又稱熱解法、乾法或燃燒法。其原料一般為四氯化矽、氧氣(或空氣)和...
基本信息 物理化學性質 成分 製備 用途改良西門子工藝閉路循環電子級多晶矽生產線,打破了西方國家對中國多晶矽產業...基礎,形成“電子級多晶矽→單晶矽→矽外延片→半導體器件→積體電路”產業鏈...電子工業園、醫藥工業園、新材料工業園的建設。同 時,建成了的科技孵化園和...
基本介紹 園區規劃 投資環境 交通運輸 基礎設施原料一般為四氯化矽、氧氣(或空氣)和氫氣,高溫下反應而成。反應式為...、分離、冷卻脫水、矽膠乾燥、除塵過濾後送入合成水解爐。將四氯化矽原料送至...水解爐。四氯化矽在高溫下氣化(火焰溫度1000~1800℃)後,與一定量...
簡介 生產方法 產品特性 種類 區別(CAV)法,又稱熱解法、乾法或燃燒法。其原料一般為四氯化矽、氧氣(或空氣...送入合成水解爐。將四氯化矽原料送至精餾塔精餾後,在蒸發器中加熱蒸發,並以乾燥、過濾後的空氣為載體,送至合成水解爐。四氯化矽在高溫下氣化(火焰溫度...
四氯化矽、氧氣(或空氣)和氫氣,高溫下反應而成。反應式為:SiCl4...脫水、矽膠乾燥、除塵過濾後送入合成水解爐。將四氯化矽原料送至精餾塔精餾後...。四氯化矽在高溫下氣化(火焰溫度1000~1800℃)後,與一定量的氫和氧...
介紹 基本信息 特性 套用 親水性、乾法或燃燒法。其原料一般為四氯化矽、氧氣(或空氣)和氫氣,高溫下反應而成...四氯化矽原料送至精餾塔精餾後,在蒸發器中加熱蒸發,並以乾燥、過濾後的空氣為載體,送至合成水解爐。四氯化矽在高溫下氣化(火焰溫度1000~1800...
相法,又稱熱解法、乾法或燃燒法。其原料為四氯化矽、氧氣(或空氣)和氫氣...水解爐。將四氯化矽原料送至精餾塔精餾後,在蒸發器中加熱蒸發,並以乾燥、過濾後的空氣為載體,送至合成水解爐。四氯化矽在高溫下氣化(火焰溫度1000...
委員會 中華人民共和國環境保護部公告工聯電子〔2010〕137號為深入...能級多晶矽項目每期規模大於3000噸/年,半導體級多晶矽項目規模大於...)半導體級直拉用多晶矽還原電耗小於100千瓦時/千克,半導體級區熔用...
基本信息 多晶矽行業準入條件 項目建設條件和生產布局 生產規模與技術設備