雙速度渡越時間二極體

定義;由於少數載流子的存貯效應和＂本徵＂層中的渡越時間 利用雪崩擊穿對晶體注入載流子... 台面型和平面型二極體。

雙速度渡越時間二極體（Double Velocity TTD，DOVETTD）與雪崩注入渡越時間二極體（IMPATTD）以及勢壘注入渡越時間二極體（BARITTD），都是渡越時間器件（TTD）。雙速度渡越時間二極體即是利用“低速運動過程”來代替IMPATTD的注入過程，以實現一定的電流-電壓的相位關係，從而獲得微波振盪。
雙速度渡越時間二極體的結構：由注入區和漂移區組成；其中注入區可採用p-AlGaAs(載流子的漂移速度比較低)，漂移區可採用n-GaAs (漂移速度比較高)。工作時，外加偏壓要使得漂移區(n區)完全耗盡，但又不能使pn結的勢壘消失。當有電子注入到p區後，即在p區以比較低的漂移速度運動，從而產生一定的注入延遲相位，並輸出微波信號。
雙速度渡越時間二極體的優點： 這種通過減慢漂移速度所造成的注入相位延遲要大於勢壘注入的相位延遲，故DOVETT二極體的轉換效率 (>25%) 要高於BARITTD；同時，器件工作時不出現雪崩倍增效應，故噪音也遠低於IMPATTD。