簡介
PN結有單嚮導電性，正向電阻小，反向電阻很大。
當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納擊穿(隧道擊穿)。
雪崩擊穿是PN結反向電壓增大到一數值時，載流子倍增就像雪崩一樣，增加得多而快。
利用這個特性製作的二極體就是雪崩二極體
國內主要廠商有上海歐光OTRON品牌。
雪崩擊穿是在電場作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價鍵中的電子激發形成自由電子-空穴對。新產生的載流子又通過碰撞產生自由電子-空穴對，這就是倍增效應。1生2，2生4，像雪崩一樣增載入流子。
齊納擊穿完全不同，在高的反向電壓下，PN結中存在強電場，它能夠直接破壞共價鍵將束縛電子分離來形成電子-空穴對，形成大的反向電流。齊納擊穿需要的電場強度很大！只有在雜質濃度特別大的PN結才做得到。（雜質大電荷密度就大）
一般的二極體摻雜濃度沒這么高，它們的電擊穿都是雪崩擊穿。齊納擊穿大多出現在特殊的二極體中，就是穩壓二極體
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的電晶體。產生高頻振盪的工作原理是：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關係上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被套用於微波領域的振盪電路中。
優質國內供應商有OTRON品牌。
其他詳細介紹
每個模組包括一個光電探測器(快速光電二極體或雪崩光電二極體)和一個互阻抗放大器。同一封裝中兼備放大器和光探測器，使其環境噪聲更低，寄生電容更小。C30659 系列模組包括一個連線到低噪聲互阻抗放大器的APD。有4種型號使用矽晶體 雪崩光電二極體和2 種型號銦鎵砷雪崩光電二極體可選擇。50 兆赫和200 兆赫的標準頻頻寬度可以適應大範圍套用。另有兩種C30659 型號的雪崩光電二極體配置熱電製冷 (LLAM 系列)，幫助改善噪音或保持雪崩光電二極體在任何環境溫度下恆溫工作。C30659 型號可以根據特殊套用需要，選擇一種定製頻頻寬度或適合特殊環境要求的定製產品。另有一種帶尾纖封裝14 插腳雙列直插式外掛程式，可以達到幾乎100 %耦合效率。C30950EH是可以替代C30659 的低成本型產品。放大器用來抵消電壓增益放大器的輸入電容。C30919E 與C30950EH 使用相同設計結構，多了一個高壓溫度補償電路以保持 模組在寬溫度範圍內的回響性常數。另兩種HUV 模組可用於低頻高增益套用，它涵蓋 了從紫外線到接近紅外線的廣譜範圍。
套用
· 雷射測距儀· 共焦顯微鏡檢查· 視頻掃描成像儀· 高速分析儀器· 自由空間通信 · 紫外線感測· 分散式溫度感測器
特點和優點 ：· 超低噪聲· 高速· 高互阻抗增益
常用型號:C30659-900-R5BH，C30659-900-R8AH, C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH ,C30659-1550-R08BH，C30659-1550-R2AH, C30919E, C30950EH,LLAM-1550-R2A, LLAM-1060-R8BH ,HUV-1100BGH,HUV-2000BH。SPcM-AQRH-10， SPcM-AQRH-11， SPcM-AQRH-12， PcM-AQRH-13， SPcM-AQRH-14， SPcM-AQRH-15，SPcM-AQRH-16， c30902SH， c911， c1311， c1911， c922 c1322 c1922 c943 c1343 c1943 c984， c1384， c1984， c993， c1393， c1993， c963， c1363， c1963， c973， c1373， c1973， SB0440CLG-011， sB0440CLQ-011， SB1440CLG-011， SB1440CLQ-011 ， SB2480CLG-011， SB2480CLQ-011， SB4480CL， RL0512P， RL1024P， RL2048P， HL2048P， HL4096P， RL1201， RL1202， RL1205 RL1210， RL1501， RL1502， RL1505， c30659-900-R5BH， c30659-900-R8AH， c30659-1060-R8BH， c30659-1060-3AH ，
c30659-1550-R08BH， c30659-1550-R2AH， c30919e， c30950eH， LLAM-1550-R2AH， LLAM-1060-R8BH， HUV-1100BGH， HUV-2000BH， VtA2164H-D-nc-00-0， VtA1616H-H-Sc-01-0 VtA1616H-L-Sc-02-0 VtA2516H-H-Sc-01-0 VtA2516H-L-Sc-02-0 VtA1216H-H-nc-00-0 VtA1216H-L-nc-00-0 VtA0832H-H-nc-00-0 c30817eH
c30872eH c30884e c30902BH c30902BFcH c30902BStH c30902eH c30902SH c30916eH c30921eH c30921SH
c30954eH c30955eH c30956eH c30902SH-tc c30902SH-Dtc c30954e-tc c30954e-Dtc c30955e-tc c30955e-Dtc c30956e-tc c30662eH c30662eceRH c30645eH c30645eceRH
c30644eH c30644eceRH c30927eH-01 c30927eH-02 c30927eH-03 c30985e c30954eH c30955eH c30956eH c30626FH c30703FH c30739eceRH c30737eH-230-80 c30737PH-230-80 c30737LH-230-80 c30737LH-230-81 c30737eH-500-80 c30737PH-500-80 c30737LH-500-80 c30737LH-500-81 c30737eH-230-90 c30737PH-230-90 c30737PH-230-90 c30737PH-230-92 c30737eH-500-90 c30737PH-500-90 c30737LH-500-90 c30737LH-500-92 c30724eH c30724PH c30616eceRH c30617BH c30617BFcH c30617BScH c30617BStH c30617eceRH c30618BFcH c30618GH c30618eceRH c30637eceRH c30641eH-tc c30641eH-Dtc c30641GH c30642GH c30665GH c30723GH c30619GH c30741PH-15 c30741PFH-1
c30807eH c30808eH c30822eH c30809eH c30810eH c30971eH FFD-100H FFD-200H FnD-100QH UV-040BQH UV-100BQH UV-215BGH/ UV-215BQH UV-245BGH UV-245BQH YAG 100AH YAG-200H YAG-444AH SR10BP SR10BP-B SR10De SR10De-B PFD10 cR50De
c30845eH YAG-444-4AH Dtc-140H VtP7840H VtP413H VtP100H VtP1188SH VtP1220FBH VtP9812FH Vtt9812FH SR10SPD470-0.9 SR10SPD525-0.9 VtP100H VtP100cH VtP1012H VtP1112H VtP1188SH VtP1220FBH VtP1232H VtP1232FH VtP1332H VtP1332FH VtP3310LAH VtP3410LAH VtP413H VtP4085H VtP4085SH VtP5050H VtP6060H
VtP7110H VtP7210H VtP7840H VtP8350H VtP8440H VtP8551H VtP8651H VtP8740_tRH
VtP8840_tRH VtP9412H VtP9812FH SR10SPD880-0.9 VtD31AAH VtD34H VtD34FH VtD34SMH VtD34FSMH VtD205H VtD205KH VtD206H VtD206KH VtH2090H
VtB100AH VtB1012H VtB1012BH VtB1013H VtB1013BH VtB1112H VtB1112BH VtB1113H
VtB1113BH VtB4051H VtB5051H VtB5051BH VtB5051JH VtB5051UVH VtB5051UVJH VtB6061H VtB6061BH VtB6060cieH VtB6061JH VtB6061UVH Vtt1223WH Vtt1225H Vtt1226H Vtt1227H Vtt3122eH Vtt3123eH Vtt3323LAH Vtt3324LAH Vtt3325LAH Vtt3423LAH Vtt3424LAH等
工作原理
在材料摻雜濃度較低的PN結中，當PN結反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。這樣，通過空間電荷區的電子和空穴，就會在電場作用下獲得的能量增大，在晶體中運動的電子和空穴將不斷地與晶體原子又發生碰撞，當電子和空穴的能量足夠大時，通過這樣的碰撞的可使共價鍵中的電子激發形成自由電子–空穴對。新產生的電子和空穴也向相反的方向運動，重新獲得能量，又可通過碰撞，再產生電子–空穴對，這就是載流子的倍增效應。當反向電壓增大到某一數值後，載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發生雪崩一樣，載流子增加得多而快，這樣，反向電流劇增， PN結就發生雪崩擊穿。利用該特點可製作高反壓二極體。下圖是雪崩擊穿的示意圖.
雪崩二極體雪崩二極體是一種負阻器件，特點是輸出功率大，但噪聲也很大。主要噪聲來自於雪崩噪聲，是由於雪崩倍增過程中產生電子和空穴和無規則性所引起的，其性質和散彈噪聲類似。雪崩噪聲是雪崩二極體振盪器的噪聲遠高於其它振盪器的主要原因
