一種生產具有相對高的離子電導率的無機固體電解質薄膜的方法。在該方法中，通過汽相沉積法，在加熱的基底元件上，形成由無機固體電解質製成的薄膜。通過熱處理獲得的該薄膜具有高於在未經加熱的基底元件上形成的薄膜的離子電導率。該離子電導率還可通過在室溫下或在低於40℃的溫度下的基底元件上形成由無機固體電解質製成的薄膜，而後加熱該無機固體電解質薄膜的步驟來提高。
概況
本發明涉及形成薄膜電容器，該薄膜電容器是由第一柔性金屬層、澱積在其上的厚度約是０．０３至約２微米的介電層和澱積在介電層上的第二柔性金屬層形成。第一柔性金屬層是金屬箔，例如銅、鋁或鎳箔，或者是澱積在聚合物支持板上的金屬層。這些層是通過燃燒化學氣相澱積或控制氣氛的化學氣相澱積法澱積的。
主權項
權利要求書 1、一種用於形成薄膜電容器的層狀結構，其包括金屬箔和其上的介電材料，其中介電材料的厚度是約0．03至約2微米。
在液晶顯示器中形成薄膜電晶體的工藝中，首先在透明基板上依序形成一層緩衝層以及一層多晶矽層。之後，利用等離子處理的方式在多晶矽層的表面上形成柵極絕緣層，其中等離子可包含氧，氮，或是同時包含兩者，而處理的溫度約在300-600℃之間。接著，在上述的柵極絕緣層上形成一層柵極層，並且在柵極層的兩旁形成源極與漏極。
