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柵極
由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發射電子...
簡介 場效應管電極 柵極電壓對電流的影響 特點 檢測方法 -
場效應管
在柵極與晶片之間有二氧化矽絕緣層，因此它仍屬於絕緣柵型MOS場效應管...，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說...。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時...
特點 工作原理 分類 作用 常見的場效應管 -
MOSFET
金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極）、S（源極...電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質。當加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在...
結構 工作原理 詳細信息 主要參數 型號命名 -
金屬氧化物半導體場效應電晶體
Transistor, IGFET）。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層，有可能是其他...大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效電晶體 柵極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體柵極採用...
效應管 電路符號 工作原理 套用優勢 尺寸縮放 -
英特爾45納米高K半導體製程技術
具有高K特性的柵極絕緣層，是半導體行業的重要創新。英特爾的65納米製程升級...預覽英特爾45納米製程技術創新英特爾45納米高k金屬柵極電晶體技術是英特爾製造電晶體的新方法，它以一種具有高k特性的新材料作為“柵極電介質”，並采...
概述 簡介 技術優勢 高K-金屬柵極和45納米有什麼關係 酷睿處理器從性能到節能 -
功率金屬氧化物半
根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓...型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up—夾斷電壓...
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導體場效應電晶體
根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓...場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.Up—夾斷電壓.是指結型...
概念 分類 主要參數 結型場效應管的管腳識別 與晶體三極體的比較 -
低溫多晶矽型TFT
離子注入，以調整N型或P型TFT的截止電壓 第三道掩膜：定義出柵極...。 第八道掩膜：定義出保護絕緣層的接觸孔。 第九道掩膜：定義像素電極形狀。柵極與半導體層的位置關係LTPS TFT 的柵極是位於半導體層...
元件結構和製程 柵極與半導體層的位置關係 雷射退火 -
絕緣柵場效應電晶體
。絕緣柵場效應電晶體中，常用二氧化矽(Si)為金屬柵極和半導體之間的絕緣層...之間的絕緣層上再製造一層金屬鋁，稱為柵極g。柵極與源極、漏極之間均是絕緣...的絕緣層中，產生一個垂直於半導體表面、由柵極指向P型襯底的電場。這個電場排斥...
釋義 N溝道增強型MOS管 P溝道MOS管 場效應電晶體的主要參數 -
橫向擴散金屬氧化物半導體
被金屬柵極取代（參見英特爾公告）。柵極通過薄的絕緣層與溝道分離，絕緣層通常是...雙極結型電晶體，MOSFET是通過在半導體表面上放置絕緣層然後在其上放置...在其他半導體材料上製造具有可接受的電特性的絕緣體。為了克服由於柵極電流...
歷史 組成 套用
