Schottky二極體保證了BJT不進入過飽和狀態（1）基本概念：
SCT是在n-p-n電晶體的基極與集電極之間加接有一個SBD（Schottky 勢壘二極體）的BJT（見圖示）。其優點就是使得當BJT進入飽和狀態時，其集電結電壓Vbc被箝位在SBD的導通電壓（≈0.45V）上，從而避免了BJT進入深飽和狀態，減小了超量少子存儲電荷，則可減短BJT開關過程中的存儲時間（可縮短1個數量級），導致積體電路中的信號傳輸延遲時間大大減短（延遲時間可降低到2~4ns，延遲時間與功耗的乘積大約可降低一半），結果可提高積體電路的工作速度。SCT是製作高速數字積體電路的基本器件。
（2）SCT工作的特點：對於TTL中的n-p-n-BJT，採用SCT來代替，可較好地解決開、關速度對基極電流Ib大小要求上的矛盾（快速導通要求Ib大，即要基區電荷存儲多；而快速關斷要求Ib小，即要電荷存儲少）。
1）當Vbc＜0（即SCT處在正向放大態或截止態）時，SBD反偏而可以忽略其影響。
2）當Vbc＞0（即SCT處在反向放大態或飽和態）時：①如果Vbc低於SBD的導通電壓，則SBD不對電晶體的Ib起分流作用；②如果Vbc高於SBD的導通電壓，則SBD將對電晶體的Ib起分流作用，並且Vbc被箝位在0.45V，則阻止了BJT進入深飽和，可提高其工作速度。
在傳輸延遲時間與功耗的乘積一定時，採用SCT可設計兩種TTL電路：a）保持功耗不變，使傳輸延遲時間減短——高速TTL（STTL）；b）保持傳輸延遲時間不變，使功耗降低——中速低功耗TTL（LSTTL）。
（4）SCT的缺點：① SBD的接入使得BJT的飽和壓降升高；② 使得BJT的反向漏電流增大；③ 使工藝要求提高（對於Si的表面處理和金屬化工藝要求很高，而且重複性和可靠 性較差）等。
