分類
放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。不用分類的區分
飽和狀態一. 在電子科學技術中，飽和狀態是指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態(即開態).電晶體的工作狀態(或工作模式)包括有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種.對於BJT(雙極型電晶體)和對於FET(場效應電晶體),飽和狀態的含義大不相同,要特別注意區分開來.
(1)對於BJT:
因為BJT是電流驅動的器件,則其飽和狀態就是指電流較大、而電壓飽和(基本恆定不變)的一種工作模式.BJT在飽和狀態工作時,發射結和集電結都處於正偏,則導電很好、電流較大,這時輸出的集電極電流Ic只決定於外電路的參量(Ic=Vcc/RL,式中的Vcc是電源電壓,RL是負載電阻),而與輸入電流無關(即這時已離開了放大狀態);該狀態是輸出電流大、輸出電壓低的工作模式,故相應於開關的開態.
在BJT的輸出伏安特性曲線上,飽和狀態即是處在緊靠縱軸(電流軸)的一個小範圍內.BJT在飽和狀態工作時,總是希望該飽和範圍越小越好,即要求輸出電壓——飽和壓降越低越好.因為飽和壓降直接關係到集電極串聯電阻,故為了降低飽和壓降,就需要提高集電區摻雜濃度;但為了提高提高擊穿電壓,又需要減小集電區摻雜濃度,這是一個矛盾.為解決此矛盾,就發展出了外延片的技術,即是在低阻襯底上生長一層薄的較高電阻率的外延層,然後在外延層上製作BJT;對於積體電路中的BJT來說,因為所有的電極都需要從晶片表面引出,因此在外延的基礎上,還需要通過在器件有源區下面加設低阻埋層來減小集電極串聯電阻.總之,在積體電路晶片中採用外延層和埋層的目的,都是為了在保持較高擊穿電壓的條件下來減小集電極串聯電阻、以降低飽和壓降.
(2)對於FET（包括JFET和MOSFET等）:
因為FET是電壓驅動的器件,則其飽和狀態就是指電壓較大、而電流飽和(基本恆定不變)的一種工作模式.FET在飽和狀態工作時,柵極電壓大於閾值電壓(對於增強型FET),存在有溝道,但是溝道在靠近漏極處是夾斷了的(這時,源漏電壓Vds≥柵源電壓Vgs-閾值電壓Vt),輸出電流基本上由未被夾斷的溝道部分的電阻來決定,在不考慮溝道長度調製效應時,則輸出電流與源漏電壓無關,即輸出電流飽和;但是此飽和的輸出電流要受到柵極電壓控制(飽和時的柵極跨導最大).在輸出伏安特性曲線上,飽和狀態即是處在電流飽和的區域(即特性曲線是水平的區域).實際上,FET的飽和狀態也就是其放大工作的狀態(這與BJT不同).
二.在化學和化工技術中，飽和狀態是指製冷劑在一定壓力和溫度下氣、液兩相處於動態平衡時的一種狀態。動態平衡是建立在一定的溫度及壓力條件下的，如果溫度或壓力改變時，平衡條件就會受到破壞，經過一段時間後，又會達到新的平衡，出現新的飽和狀態。
不同的壓力對應不同的飽和溫度才能使製冷劑處於飽和狀態。
飽和狀態分為飽和氣體狀態、飽和液體狀態和飽和氣液共存狀態。
