肖特基接觸

肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。勢壘的存在才導致了大的界面電阻。與之對應的是歐姆接觸，界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。 肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體接觸，就如同二極體具有整流特性。是金屬-半導體邊界上形成的具有整流作用的區域。

概述

肖特基接觸

肖特基結是一種簡單的金屬與半導體的交界面，它與PN結相似，具有非線性阻抗特性（整流特性）。1938年德國的W.H.肖特基提出理論模型，對此特性做了科學的解釋，故後來把這種金屬與半導體的交界面稱為肖特基結或肖特基勢壘。其基本原理是由於半導體的逸出功一般比金屬的小，故當金屬與半導體（以N型為例）接觸時，電子就從半導體流入金屬，在半導體表面層形成一個由帶正電不可移動的雜質離子組成的空間電荷區，如圖1a所示，在此區中存在一個由半導體指向金屬的電場，猶如築起一座高牆，阻止半導體中的電子繼續流入金屬。從圖1b肖特基勢壘能帶圖可以看出在界面處半導體的能帶發生彎曲，形成一個高勢能區，這就是肖特基壘。電子必須高於這一勢壘的能量才能越過勢壘流入金屬。當平衡時，肖特基勢壘的高度是金屬和半導體的逸出功的差值

性質

與PN結相似，有相似的單嚮導電性，然而與PN結相比，肖特基的結電容非常小，到零點幾皮法，故其常用在高頻電路中，特別是用在微波及毫米波、亞毫米波電路設計中。

套用

對於肖特基二極體一般用做整流、檢波及倍頻中。