簡介
矽單晶是呈單晶體的半導體矽材料，是產量最大、套用最廣的半導體材料。性能
禁頻寬度1. 12 cV電子遷移率1500cm2/V?g
空穴遷移率450cm2/V?s
本徵載流子濃度1.45×1010cm-3
本徵電阻率2.3×105Ω?cm
熱導率(300K)150W/m?K,
臨界剪下應力(CRSS)1.85MPa(接近熔點時)
套用
由於其良好的熱導率及高溫力學性能、優異的半導體性質，能穩定地製備大直徑無位錯單晶(目前生產的最人直徑為250mm)。同時矽容易形成與其本體牢固結合的氧化膜，這種氧化膜可以在器件中起到隔離、掩蔽、絕緣作用，因此世界上幾乎所有的積體電路都是矽單晶製成的，而且積體電路用矽占矽單晶整個用量的80%以上。此外，絕大多數的電力電子器件(可控矽，整流器等)，功率電晶體和大部分的各種類型的二極、三極電晶體和太陽電池也是用矽單晶製成的。分類
按工藝方法可分為直拉矽單晶（CZ-Si），區熔矽單晶（FZ-Si）、磁拉矽單晶 (MCZ-Si)。區熔矽單晶主要用於製作電力電子器件及大功率電晶體。磁拉矽單晶主要用於製作CCI器件。而占產量的90%的直拉矽單晶用於製作積體電路及其它分立元件。按用途可分為電路級矽單晶、探測器級矽單晶等。
