在襯底上沉積金屬薄膜(23)，在金屬表面上形成金屬氧化物和/或金屬氫氧化物的薄膜(24)，並且在金屬氧化物和/或金屬氫氧化物的薄膜上形成非晶半導體材料層 (25)。整個樣品被加熱到一定溫度，在所述溫度下，半導體層被吸入到金屬層，通過金屬誘發晶化，在目標表面沉積成多晶層(26)金屬作為覆蓋層(27)覆蓋在沉積的多晶層上，在金屬層(29)中含有半導體內含物(28)。多晶半導體薄膜(26)和覆蓋層(27)被氧化物和/或氫氧化物的多孔界面薄膜(30)隔開。
簡介
.在所述襯底的目標表面上沉積金屬薄膜，在所述金屬薄膜之上形成多晶半導體薄膜； ii.在金屬表面上形成金屬氧化物和/或金屬氫氧化物的薄膜； iii.在金屬氧化物和/或金屬氫氧化物薄膜表面上形成非晶半導體材料層； iv.將所述襯底、金屬、金屬氧化物和/或氫氧化物薄膜和半導體材料加熱到一定溫度，在所述溫度下所述半導體層被吸收入金屬層，並通過金屬誘髮結晶(MIC)沉積在目標表面形成多晶層，由此金屬被剩餘，形成覆蓋層覆蓋在沉積的多晶層上，所述金屬層中包含有半導體內含物，且多晶半導體薄膜和覆蓋層被多孔界面金屬氧化物和/ 或金屬氫氧化物薄膜隔開，而半導體內含物又通過所述多孔界面金屬氧化物和/或金屬氫氧化物相接觸， v.通過刻蝕方法去除覆蓋層和界面金屬氧化物和/或金屬氫氧化物薄膜中的金屬，該刻蝕過度刻蝕半導體內含物形成與多晶層微弱連線的孤島，而不使位於下面的多晶半導體層顯著減薄， vi.通過剝離過程從多晶半導體層表面將半導體孤島去除。
