非晶半導體材料

非晶半導體材料具有半導體性質的非晶態材料。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，1975年W.E.斯皮爾等人在矽烷輝光放電分解製備的非晶矽中實現了摻雜效應,使控制電導和製造PN結成為可能。

簡介

理論方面，P.W.安德森和N.F. 莫脫建立了非晶態半導體的電子理論。非晶態材料是半導體材料的重要組成部分，主要包括兩大類：硫系玻璃和四面體鍵非晶態半導體。非晶態與晶態半導體具有類似的基本能帶結構，也有導帶、價帶和禁帶，但非晶態非晶態半導體在整體上分子排列無序，具有單晶體的微觀結構。同單晶材料相比，非晶態半導體材料製備工藝簡單，對襯底結構無特殊要求，易於大面積生長，摻雜後電阻率變化大，可以製成多種器件，在技術領域中的套用存在著很大的潛力。非晶硫已廣泛套用在複印技術中，由S.R.奧夫辛斯基首創的 As-Te-Ge-Si系玻璃半導體製作的電可改寫主讀存儲器已有商品生產，非晶矽的套用目前研究最多的是太陽能電池。

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