個人簡介
男，1968年11月生。現任中山大學物理科學與工程技術學院教授，博士生導師。
1991年8月畢業於吉林大學電子科學系半導體物理與器件專業，取得工學學士學位。畢業後就職於中韓合資大連元光電子有限公司（中國大連開發區），主要負責半導體發光二極體（LED）的研發與生產線改造工作。
1994年4月自費去日本國立名古屋工業大學留學，就讀於該校電氣情報工學專業（E.E），師從神保孝志教授，並於1998年3月取得工學碩士學位，2001年3月取得工學博士學位。這期間主要從事與GaAs基，GaN基等III-V族化合物半導體材料的MOCVD生長與相關光電子器件的製作方面的研究。在攻讀博士學位期間，還曾經被聘為研究助手（RA）和教學助手（TA）對本科生及碩士生的畢業研究進行了指導。
2001年4月至2004年4月，就職於(株)富士通量子器件公司（日本 甲府），這是一家世界最大規模的化合物半導體生產製造廠家。這期間主要從事於10Gp/s，40Gp/s超高速光通訊系統用InP基光電探測器的晶片與模組設計，量產方面的研發工作。
2004年5月至今，本人作為中山大學“百人計畫”2類人才，受聘於中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，從事光電化合物半導體材料製作及相關元器件機理方面的研究，教學工作。
主要研究方向
光學工程學科，研究方向：光電化合物半導體材料與器件製備技術。包括：
套用於10/40Gbps光通訊系統的超高速半導體光電探測器件研究；
套用於THz發射和探測的新型固態納電子器件研究；
套用於固態照明的大功率白光LED封裝及其晶片製備技術研究；
III-V族化合物半導體材料MOCVD外延生長技術研究等。
主要任職
中山大學（理科）學術委員會 委員
光信息科學與技術專業課程體系負責人
中山大學光電材料與技術國家重點實驗室 主任助理
中山大學半導體照明系統研究中心 主任
承擔課題
中山大學“百人計畫”二層次引進人才科研啟動項目；
中山大學校級重點項目；
廣東省科技計畫項目；
廣東省自然科學基金項目；
廣州市科技計畫項目；
佛山市禪城區產學研合作項目等。
發表論文
1.G. Yu, G. Wang, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Soga, T. Egawa, J. Watanabe and T. Jimbo: “Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78 – 4.77 eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method”, Appl. Phys. Lett. , 70, 3209 - 3211 (1997).
2.G. Wang, G. Y. Zhao, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Effects of H plasma passivation on the optical and electrical properties of GaAs-on-Si”, Jpn. J. Appl. Phys., 37, L1280 – L1282 (1998).
3.G. Wang, M. Kawai, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “H plasma passivation of MOCVD grown GaAs-on-Si for high efficiency solar cells”, Proceedings of the 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Vienna, Austria, 1998) European Commission, 3733 – 3736, (1999).
4.G. Wang, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A novel hydrogen passivation method for GaAs on Si grown by MOCVD”, COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, 162, 597-602 (1999).
5.G. Wang, K. Ohtsuka, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation and improvement of the photovoltaic properties of a GaAs solar cell grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 3504 – 3505 (1999).
6.G. Wang, T. Ogawa, K. Ohtsuka, G. Y. Zhao, T. Soga T. Jimbo and M. Umeno: “Photoluminescence studies of hydrogen-passivated Al0.13Ga0.87As grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L796 – L798 (1999).
7.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of GaAs solar cell on Si substrate by H2+PH3 plasma”, Appl. Phys. Lett., 76, 730 – 732 (2000).
8.T. Soga, G. Wang, K. Ohtsuka, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogen plasma passivation for GaAs solar cell on Si substrate”, J. Appl. Phys., 87, 2285 – 2288 (2000).
9.G. Wang, K. Otsuka, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “A detailed study of H plasma passivation effect on GaAs-on-Si solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 599 – 605 (2001).
10.K. Akahori, G. Wang, K. Okumura, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Improvement of the MOCVD-grown InGaP on Si substrate towards high efficiency solar cell”, Solar Energy Material and Solar Cell, 66, 593 – 598 (2001).
11.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Hydrogenation of GaAs-on-Si Schottky diodes by PH3-added plasma”, Appl. Sur. Sci., 159/160, 191 – 196 (2000).
12.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “PH3/H2 plasma passivation of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs on Si”, J. Appl. Phys., 88, 3689 – 3694 (2000).
13.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Surface and bulk passivation of defects in GaAs/Si by RF plasma-assisted MOCVD”, J. Cryst. Growth, 221, 172 -176 (2000).
14.G. Wang, T. Soga, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Enhanced spontaneous emission in hydrogen-plasma-passivated AlGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser structures grown on Si substrate”, Electron. Lett., 36, 1462 – 1464, (2000).
15.G. Wang, T. Ogawa, F. Kunimasa, M. Umeno T. Soga, T. Jimbo and T. Egawa: “Hydrogen plasma passivation of bulk GaAs and Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple-quantum-well structures on Si substrates”, J. Electron. Mater., 30, 845 – 849 (2001).
16.T. Ogawa, G. Wang, K. Murase, K. Hori, J. Arokiaraj, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Phosphine-added hydrogen plasma passivation of GaAs solar cell on Si substrate”, IEEE Record of the Twenty-eighth Photovoltaic Specialist Conference, 1308 – 1311 (2000).
17.G. Wang, K. Akahori, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno:: “Investigation of electrical and optical properties of phosphine/hydrogen plasma exposed In0.49Ga0.51P grown on Si substrate”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L189 – 191 (2001).
18.G. Wang, T. Ogawa, K. Murase, K. Hori, T. Soga, B. J. Zhang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivation of bulk and surface defects in GaAs grown on Si substrate by radio frequency phosphine/hydrogen plasma exposure”, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 4781 – 4784 (2001).
19.G. Wang, T. Ogawa, T. Soga, T. Jimbo and M. Umeno: “Passivaton of dislocations in GaAs grown on Si substrates by phosphine (PH3) plasma exposure”, Appl. Phys. Lett., 78, 3463 – 3465 (2001).
20.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, K. Sato and M. Kobayashi: “Analysis of high speed P-I-N photodiodes S-parameters by a novel small-signal equivalent circuit model”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 12, 378 – 380 (2002).
21.G. Wang, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “A time-delay equivalent circuit model of ultra-fast P-I-N photodiodes”, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 51, 1227 - 1233 (2003).
22.G. Wang, M. Takechi, K. Araki, T. Tokumitsu, I. Hanawa, Y. Yoneda, K. Sato and M. Kobayashi: “Wide bandwidth, high performance waveguide-integrated P-I-N photodiodes for 40 Gbits/s receiver modules”, 2003 IEEE MTT-S Digest, 151 – 154 (2003).
23.G. Wang, I. Hanawa, H. Aono, Y. Yoneda, T. Fujii, K. Sato and M. Kobayashi: “Highly reliable high performance waveguide-integrated InP/InGaAs pin photodiodes for 40 Gbit/s fiber-optical communication application”, Electron. Lett., 39, 1147 – 1149 (2003).
出版書籍
1、《電子器件》（邵春林，王鋼 共譯）科學出版社 2001年3月第一版發行．
2、《GaAs場效應電晶體基礎》（王鋼 譯）中國石化出版社 2005年8月第一版發行．
合作出版
1、「半導體受光裝置」王鋼、米田昌博 特願2002-274304（2002年9月20日提出）．
2、「半導體受光裝置」王鋼、米田昌博 特願2002-274305（2002年9月20日提出）．
獲獎情況
株）富士通量子器件公司年度最佳論文獎（2003）
