基本信息
中文名稱 氮化鉻CAS NO. 12053-27-9
英文名稱 chromium nitride
英文別名 Chromium nitride (Cr2N); Chromium nitride; Dichromium nitride; chromic nitrogen(-3) anion
EINECS 246-016-3
PVD的全寫為Physical Vapor Deposition,中文翻譯為物理氣相沉積。
採用陰極電弧電漿沉積技術。陰極電弧例子體沉積是相對較新的薄膜沉積技術，它在許多方面累死於離子鍍技術。其優點：在發射的粒子流中離化率高，而且這些離化的離子具有較高的動能（40-100eV)。許多離子束沉積的優點，如提粘著力，增加態密度、對化合物膜形成具有高反應率等優點在陰極電弧電漿沉積中均有所體現。而陰極電弧電漿沉積又具有自己一些獨特優點，如可在較多複雜形狀基片上進行沉積，沉積率高，塗層均勻性好，基片溫度低，易於製備理想化學配比的化合物或合金。
通過蒸發過程將陰極材料蒸發是源於高電流密度，所得到的蒸發物由電子、離子、中心氣相原子和微粒組成。在陰極電弧點，材料幾乎百分百被離化，這裡離子在幾乎垂直於陰極表面的方向發射出去，當帶有高能量的鉻離子碰到氮氣後便會馬上產生化學反應，變成氣態的氮化鉻分子了。
