氧化物半導體
oxide semiconductor
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用途
氧化物半導體ZnO、CdO、SnO2等常用於製造氣敏元件,Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用於製造濕敏元件;SnO2膜用於製做透明電極等。
氧化物半導體,是具有半導體特性的一類氧化物。電學性質與環境氣氛有關。導電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導體。
oxide semiconductor
氧化物半導體ZnO、CdO、SnO2等常用於製造氣敏元件,Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用於製造濕敏元件;SnO2膜用於製做透明電極等。
互補性氧化金屬半導體CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一樣同為在掃瞄器中可記錄光線變化的...
發展歷史 CMOS套用 微電子學中的CMOS 數位相機領域 媒介研究方法金屬氧化物半導體積體電路是由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的積體電路。簡稱“mos積體電路”。
金屬氧化物半導體積體電路 其它廣義上的氧化物(oxide)是指氧元素與另外一種化學元素組成的二元化合物,如二氧化碳(CO₂)、氧化鈣(CaO)等。但氧與電負性更大的氟結合形成的化合物...
簡介 酸性 鹼性 兩性 不成鹽半導體材料(semiconductormaterial)是導電能力介於導體與絕緣體之間的物質。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來製作半導體器件和集成...
基本簡介 主要種類 實際運用 寬頻隙半導體材料 低維半導體材料橫向擴散金屬氧化物半導體(英語:LaterallyDiffusedMetalOxideSemicon ductor,縮寫:LDMOS)經常被用於微波/射...
早期MOSFET的柵極(gate MOSFET的臨界電壓(threshold layer),影響MOSFET導通的特性。
電路符號 MOSFET的操作原理非氧化物陶瓷可作為耐1000℃以上高溫結構陶瓷材料使用,雖然自身及其與金屬的連線問題制約了它的工程使用,但它作為高溫結構材料其套用前景非常廣闊。
原料簡介 套用領域金屬氧化物是指氧元素與另外一種金屬化學元素組成的二元化合物,如氧化鐵(Fe2O3)、氧化鈉(Na2O)等。金屬氧化物是一類重要的催化劑,在催化領域中已得...
概述 表面積 催化作用 常見金屬氧化物