人物經歷
李書平 ，黨員。1996年畢業於廈門大學物理系，2001年7月於廈門大學獲凝聚態物理專業理學博士學位。現為廈門大學物理系教師。
研究方向
半導體光電子材料與器件的理論與實驗研究。
主要貢獻
在國內外學術刊物上已發表論文數十篇。參與國家自然科學基金重大研究計畫培育項目：全同量子點晶格構築及其量子態間耦合表征（2010.01-2012.12）。
參與國家自然科學基金重點專項：原位半導體納米結構綜合測試系統研製（2009.01-2011.12）。
主持福建省科技計畫重點項目：GaN 基紫外LED 晶片製備（2007.05-2009.06）。
參與廈門市科技計畫項目：穩定波長的高性能GaN基LED晶片（2006.1-2007.12）。
參與國家“863”計畫項目：GaN基半導體材料設計與關鍵外延技術開發（2006.10-2008.09）。
參與福建省科技計畫重點項目：0.25瓦藍光LED晶片標準單元及其混合集成瓦級白光LEDs（2005.1-2006.12）。
參與福建省科技計畫重點項目：GaN基功率級LED晶片製備（2004.07-2007.06）。
參與國家自然科學基金項目：Ⅲ族氮化物異質界面的缺陷（2004.1-2006.12）。
主持福建省自然科學基金：Ⅲ族氮化物異質界面模擬及實驗研究（2004.05-2007.05）。
主持校級自選課題項目：Schottky勢壘高度的理論計算研究（2002.9-2004.7）。
半導體光電結構材料及其套用，廈門大學學報，50⑵，203-209（2011） 。
不同結構參數氮化鎵基發光二極體晶片出光的蒙特卡羅方法模擬，廈門大學學報（自然科學版）48⑶，326-329（2009）。
GaN薄膜光學常數的橢圓偏振光譜研究，福州大學學報（自然科學版） 35(S1） 15-18 （2007）。
具有缺陷態的二維光子晶體通訊波長濾波器的結構最佳化設計，福州大學學報（自然科學版） 35(S1） 19-23 （2007）。
AlN薄膜的橢圓偏振光譜模型研究，福州大學學報（自然科學版） 35(S1） 11-14 （2007）。
InGaN量子阱的微觀特性（英文）. 發光學報，28(01）: 99-103 （2007）。
GaN半導體中InN量子點的結構性質（英文）. 發光學報. 28(01）： 88-92 （2007）。
金屬-半導體超晶格中的金屬費米能級和半導體平均鍵能，半導體學報，27⑸，834-839（2006）。
高性能計算集群系統的設計和實現，廈門大學學報（自然科學版），43⑹，879-881（2004）。
金屬-半導體超晶格中界面電荷的生成機制，物理學報，53⑼，2925-2930（2004）。
金屬-半導體接觸勢壘高度的理論計算，固體電子學研究與進展，23⑷，412~415，453（2003）。
Schottky勢壘中的電中性能級、平均鍵能和費米能級，廈門大學學報（自然科學版），42⑸，586-590（2003）。
二維磁性納米結構材料的Monte Carlo 模擬，廈門大學學報（自然科學版），42⑵，189-192（2003）。
Schottky勢壘高度理論計算中的平均鍵能方法，物理學報，52⑶，542-546（2003）。
自由電子能帶中的平均鍵能與費米能級，固體電子學研究與進展，22⑴，1-4（2002）。
平均鍵能方法在應變層異質結帶階計算中的簡化模型，發光學報，22⑵，182-186（2001）。
一種由自由電子能帶模型計算費米能級的方法，發光學報，22⑵，172-174（2001）。
平均鍵能Em的物理內涵探討，物理學報，50⑵，273-277（2001）。
申請或授權專利
⒈中國發明專利：選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的製備方法（專利號：200810071176.0，2010.04.15授權）。
⒉中國發明專利：AlN生長面複合基底的製備方法以及氮化物半導體器件（申請號：200910111002.7，2009.02.03申請）。
⒊中國發明專利：基於InN/GaN應變數子阱紫外LED結構及其製備方法（申請號：200910112318.8，2009.07.30申請）。
獲獎記錄
⒈2009年廈門市科學技術進步三等獎（高性能高亮度InGaAlP四元系紅黃光LED外延片、晶片研製與生長）。
