李書平[廈門大學副教授]

男,1973年11月出生,民族:漢,籍貫:福建 閩侯,黨員,現為廈門大學物理系教師。

人物經歷

李書平 ,黨員。1996年畢業於廈門大學物理系,2001年7月於廈門大學獲凝聚態物理專業理學博士學位。現為廈門大學物理系教師。

研究方向

半導體光電子材料與器件的理論與實驗研究。

主要貢獻

在國內外學術刊物上已發表論文數十篇。參與國家自然科學基金重大研究計畫培育項目:全同量子點晶格構築及其量子態間耦合表征(2010.01-2012.12)。

參與國家自然科學基金重點專項:原位半導體納米結構綜合測試系統研製(2009.01-2011.12)。

主持福建省科技計畫重點項目:GaN 基紫外LED 晶片製備(2007.05-2009.06)。

參與廈門市科技計畫項目:穩定波長的高性能GaN基LED晶片(2006.1-2007.12)。

參與國家“863”計畫項目:GaN基半導體材料設計與關鍵外延技術開發(2006.10-2008.09)。

參與福建省科技計畫重點項目:0.25瓦藍光LED晶片標準單元及其混合集成瓦級白光LEDs(2005.1-2006.12)。

參與福建省科技計畫重點項目:GaN基功率級LED晶片製備(2004.07-2007.06)。

參與國家自然科學基金項目:Ⅲ族氮化物異質界面的缺陷(2004.1-2006.12)。

主持福建省自然科學基金:Ⅲ族氮化物異質界面模擬及實驗研究(2004.05-2007.05)。

主持校級自選課題項目:Schottky勢壘高度的理論計算研究(2002.9-2004.7)。

半導體光電結構材料及其套用,廈門大學學報,50⑵,203-209(2011) 。

不同結構參數氮化鎵基發光二極體晶片出光的蒙特卡羅方法模擬,廈門大學學報(自然科學版)48⑶,326-329(2009)。

GaN薄膜光學常數的橢圓偏振光譜研究,福州大學學報(自然科學版) 35(S1) 15-18 (2007)。

具有缺陷態的二維光子晶體通訊波長濾波器的結構最佳化設計,福州大學學報(自然科學版) 35(S1) 19-23 (2007)。

AlN薄膜的橢圓偏振光譜模型研究,福州大學學報(自然科學版) 35(S1) 11-14 (2007)。

InGaN量子阱的微觀特性(英文). 發光學報,28(01): 99-103 (2007)。

GaN半導體中InN量子點的結構性質(英文). 發光學報. 28(01): 88-92 (2007)。

金屬-半導體超晶格中的金屬費米能級和半導體平均鍵能,半導體學報,27⑸,834-839(2006)。

高性能計算集群系統的設計和實現,廈門大學學報(自然科學版),43⑹,879-881(2004)。

金屬-半導體超晶格中界面電荷的生成機制,物理學報,53⑼,2925-2930(2004)。

金屬-半導體接觸勢壘高度的理論計算,固體電子學研究與進展,23⑷,412~415,453(2003)。

Schottky勢壘中的電中性能級、平均鍵能和費米能級,廈門大學學報(自然科學版),42⑸,586-590(2003)。

二維磁性納米結構材料的Monte Carlo 模擬,廈門大學學報(自然科學版),42⑵,189-192(2003)。

Schottky勢壘高度理論計算中的平均鍵能方法,物理學報,52⑶,542-546(2003)。

自由電子能帶中的平均鍵能與費米能級,固體電子學研究與進展,22⑴,1-4(2002)。

平均鍵能方法在應變層異質結帶階計算中的簡化模型,發光學報,22⑵,182-186(2001)。

一種由自由電子能帶模型計算費米能級的方法,發光學報,22⑵,172-174(2001)。

平均鍵能Em的物理內涵探討,物理學報,50⑵,273-277(2001)。

申請或授權專利

⒈中國發明專利:選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的製備方法(專利號:200810071176.0,2010.04.15授權)。

⒉中國發明專利:AlN生長面複合基底的製備方法以及氮化物半導體器件(申請號:200910111002.7,2009.02.03申請)。

⒊中國發明專利:基於InN/GaN應變數子阱紫外LED結構及其製備方法(申請號:200910112318.8,2009.07.30申請)。

獲獎記錄

⒈2009年廈門市科學技術進步三等獎(高性能高亮度InGaAlP四元系紅黃光LED外延片、晶片研製與生長)。

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