本徵擴散

主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時,如果雜質原子的濃度小於熱擴散溫度下半導體中的本徵載流子濃度,則雜質原子的擴散係數為常數,這種擴散就稱為本徵擴散。

本徵擴散(Intrinsic diffusion):

主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時,如果雜質原子的濃度小於熱擴散溫度下半導體中的本徵載流子濃度,則雜質原子的擴散係數為常數,這種擴散就稱為本徵擴散。只有在摻雜濃度較低、或者擴散溫度較高時才可能是本徵擴散。滿足本徵擴散條件的區域即稱為本徵擴散區。在本徵擴散區內,如果擴散有兩種雜質,則總的擴散雜質分布將是二者分別擴散所得結果的疊加(即兩種雜質的擴散可以分別獨立地處理)。其主要分為位錯擴散、空位擴散和間隙擴散。

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