基本信息
數字積體電路分析與設計ISBN：10位[7121016664] 13位[9787121016660]
出版日期：2005-9-1
定價：￥48.00 元
作者簡介
David A.Hodges是加州大學伯克利分校的工程學榮譽退休教授。獲得了Daniel M.Tellep傑出教授獎。他在康奈爾大學獲得電機工程學士學位，並在加州大學伯克利分校獲得碩士和博士學位。Hodges教授是1997年IEEE教育獎章和1999年ASEE Benjamin Garver Lamme獎的獲得者。 Horace G.Jackson在英格蘭出生和受教育。1956年他進入加州大學的Lawrence Berkeley實驗室，從事核科學研究儀器的開發工作，直到退休。Jackson博士與人合著過兩本書，並且在核科學和電子工程學期刊上發表了內容廣泛的多篇文章。 Resve A.Saleh目前擁有英國哥倫比亞大學電機與計算機工程系的NSERC/PMC-Sierra教授職位。Saleh博士在加州大學伯克利分校獲得電機工程碩士與博士學位。他出版了兩本書，發表的期刊文章和會議論文超過50篇。Simplex Solutions公司是一家深亞微米驗證公司，Saleh博士是該公司的創始人之一。
圖書目錄
第1章 深亞微米數字積體電路設計
1.1 緒論
1.2 積體電路產業的簡要歷史
1.3 數字邏輯六設計的回顧
1.1.1 基本的邏輯函式
1.1.2 邏輯電路的實現
1.1.3 噪聲容限的定義
1.1.4 瞬態特性的定義
1.1.5 功耗估算
1.4 數字積體電路設計
1.4.1 MOS電晶體的結構和工作原理
1.4.2 CMOS與NMOS
1.4.3 深亞微米互連
1.5 數字電路的計算機輔助設計
1.5.1 電路模擬和分析
*1.6 面臨的挑戰
1.7 小結
1.8 參考文獻
1.9 習題
第2章 MOS電晶體
2.1 緒論
2.2 MOS電晶體的結構和原理
2.3 MOS電晶體的閾值電壓
2.4 一次電流-電壓特性
2.5 速度飽和公式的來源
2.5.1 高電場的影響
2.5.2 速度飽和器件的電流公式
*2.6 α功率定律模型
2.7 亞閾值傳導
2.8 MOS電晶體的電容
2.8.1 薄氧化物電容
2.8.2pn結電容
2.8.2 覆蓋電容
2.9 小結
2.10 參考文獻
2.11 習題
第3章 製造、版圖和模擬
3.1 緒論
3.2 IC製造工藝
3.2.1 IC製造工藝概述
3.2.2 IC光刻工藝
3.2.3 電晶體的製造
3.2.4 製造連線
3.2.5 連線電容和電阻
3.3 版圖基礎
3.4 電路模擬中MOS電晶體的模型構造
3.4.1 SPICE中的MOS模型
3.4.2 MOS電晶體的具體說明
3.5 SPICE MOS LEVEL 1 器件模型
3.5.1 MOS LEVEL 1 參數的提取
*3.6 BSM3模型
3.6.1 BSIM3中的載入過程
3.6.2 短溝道閾值電壓
3.6.3遷移率模型
3.6.4 線性區和飽和區
3.6.5亞閾值電流
3.6.6 電容模型
3.6.7 源/漏電阻
*3.7 MOS電晶體中的附加效應
3.7.1 產品中的參數變化
3.7.2 溫度效應
3.7.3 電源變化
3.7.4 電壓極限
3.7.5 CMOS閂鎖
*3.8 絕緣體上的矽工藝
*3.9 SPICE模型小結
3.10 參考文獻
3.11 習題
第4章 MOS反相器電路
4.1 緒論
4.2 電壓傳輸特性
4.3 噪聲容限的定義
……
第5章 靜態MOS門電路
第6章 高速CMOS邏輯設計
第7章 傳輸門和動態邏輯設計
第8章 半導體存儲器的設計
第9章 存儲器設計中的其他課題
第10章 連線設計
第11章 電源格線和時鐘設計
附錄A SPICE的簡要介紹
附錄B 雙極型電晶體和電路
譯者序
積體電路的製造工藝水平基本按照摩爾定律不斷提高，這種發展給積體電路的設計帶來了很多新的變化。本書就是全面介紹深亞微米數字積體電路設計技術的一本優秀教材。書中以半導體器件物理的內容為基礎，逐步闡述了深亞微米工藝中數字IC設計的關鍵問題：其內容包括器件模型和公式、基本門電路、靜態與動態電路形式、存儲器設計、互連線產生的效應和晶片中電源格線與時鐘的分布等，介紹了最新的CMOS製造工藝以及相關的器件模型：書中的討論主要是基於0．18μm和0．13μm CMOS工藝進行的，突出了深亞微米工藝中互連線帶來的新問題及其對設計的影響。此外，還強調了SPICE模擬工具在電路設計中的套用。本書內容豐..
圖書前言
第三版的目的自從15年前出版了本書的第二版之後，積體電路(IC，integrated circuit)工業發生了巨大的變革。最顯著的趨勢是CMOS作為主流IC工藝的出現。其他諸如NMOS、雙極和GaAs工藝由於功耗、集成度和費用等方面的原因都讓位於CMOS工藝。CMOS工藝中有大範圍普及的工具、工藝和訣竅，因而在下一個10年中能夠繼續引領這一工業領域。第二個重要趨勢是電路尺寸根據摩爾定律持續縮減。約在本書第二版出版時，積體電路工業的最小線條寬度達到了1μm件。人們曾一度認為這是尺寸縮減的物理和心理極限。但是，人們很快認識到電晶體的最小尺寸可以做得遠低於lμm，並由此引發亞微米時代的開端。從那時起，我們目睹了..
圖書序言
2001年7月間，電子工業出版社的領導同志邀請各高校十幾位通信領域方面的老師，商量引進國外教材問題，與會同志對出版社提出的計畫十分贊同，大家認為，這對我國通信事業，特別是對高等院校通信學科的教學工作會很有好處。教材建設是高校教學建設的主要內容之一，編寫，出版一本好的教材，意味著開設了一門好的課程，甚至可能預示著一個嶄新學科的誕生。20世紀40年代MIT林肯實驗室出版的-套28本雷達叢書，對近代電子學科、特別是對雷達技術的推動作用，就是一個很好的例子。我國領導部門對教材建設一直非常重視。20世紀80年代，在原教委教材編審委員會的領導下，匯集了高等院校幾百位富有教學經驗的專家，..
