CMOS數字積體電路——分析與設計(第四版)(英文版)

CMOS數字積體電路——分析與設計(第四版)(英文版)

全書詳細講述了CMOS數字積體電路的相關內容,為反映納米級別CMOS技術的廣泛套用和技術的發展, 全書在前版的基礎上對電晶體模型公式和器件參數進行了修正,幾乎全部章節都進行了重寫,提供了反映現代 技術發展水平和電路設計的最新資料。

圖書內容

全書詳細講述了CMOS數字積體電路的相關內容,為反映納米級別CMOS技術的廣泛套用和技術的發展, 全書在前版的基礎上對電晶體模型公式和器件參數進行了修正,幾乎全部章節都進行了重寫,提供了反映現代 技術發展水平和電路設計的最新資料。

全書共15章。第1章至第8章詳細討論MOS電晶體的相關特性和工作原 理、基本反相器電路設計、組合邏輯電路及時序邏輯電路的結構與工作原理;第9章至第13章主要介紹套用於 先進VLSI晶片設計的動態邏輯電路、先進的半導體存儲電路、低功耗CMOS邏輯電路、數字運算和轉換電路、 晶片的I/O設計;第14章和第15章分別討論電路的產品化設計和可測試性設計這兩個重要問題。

CONTENTS目錄

Chapter 1 Introduction

概論 1

1.1 Historical Perspective

發展歷史 1

1.2 Objective and Organization of the Book

本書的目標和結構 5

1.3 A Circuit Design Example

電路設計舉例 8

1.4 Overview of VLSI Design Methodologies

VLSI 設計方法綜述 18

1.5 VLSI Design Flow

VLSI 設計流程 20

1.6 Design Hierarchy

設計分層 23

1.7 Concepts of Regularity, Modularity, and Locality

規範化、模組化和本地化的概念 26

1.8 VLSI Design Styles

VLSI 的設計風格 28

1.9 Design Quality

設計質量 39

1.10 Packaging Technology

封裝技術 41

1.11 Computer-Aided Design Technology

計算機輔助設計技術 44

Exercise Problems

習題 46

Chapter 2 Fabrication of MOSFETs

MOS 場效應管的製造 49

2.1 Introduction

概述 49

2.2 Fabrication Process Flow: Basic Steps

製造工藝的基本步驟 50

2.3 The CMOS n-Well Process

CMOS n 阱工藝 60

2.4 Evolution of CMOS Technology

CMOS 技術的發展 67

2.5 Layout Design Rules

版圖設計規則 74

2.6 Full-Custom Mask Layout Design

全定製掩膜版圖設計 78

Exercise Problems

習題 82

Chapter 3 MOS Transistor

MOS 電晶體 92

3.1 The Metal Oxide Semiconductor (MOS) Structure

金屬-氧化物-半導體 (MOS) 結構 92

3.2 The MOS System Under External Bias

外部偏置下的 MOS 系統 96

3.3 Structure and Operation of the MOS Transistor (MOSFET)

MOS 場效應管 (MOSFET) 的結構和作用 99

3.4 MOSFET Current-Voltage Characteristics

MOSFET 的電流-電壓特性 109

3.5 MOSFET Scaling and Small-Geometry Effects

MOSFET 的收縮和小尺寸效應 120

3.6 MOSFET Capacitances

MOSFET 電容 151

Exercise Problems

習題 162

Chapter 4 Modeling of MOS Transistors Using SPICE

用 SPICE 進行 MOS 管建模 167

4.1 Introduction

概述 167

4.2 Basic Concepts

基本概念 168

4.3 The Level 1 Model Equations

一級模型方程 170

4.4 The Level 2 Model Equations

二級模型方程 174

4.5 The Level 3 Model Equations

三級模型方程 178

4.6 State-of-the-Art MOSFET Models

先進的 MOSFET 模型 179

4.7 Capacitance Models

電容模型 180

4.8 Comparison of the SPICE MOSFET Models

SPICE MOSFET 模型的比較 184

Appendix: Typical SPICE Model Parameters

附錄 典型 SPICE 模型參數 186

Exercise Problems

習題 192

Chapter 5 MOS Inverters: Static Characteristics

MOS 反相器的靜態特性 194

5.1 Introduction

概述 194

5.2 Resistive-Load Inverter

電阻負載型反相器 202

5.3 Inverters with MOSFET Load

MOSFET 負載反相器 211

5.4 CMOS Inverter

CMOS 反相器 221

Appendix: Sizing Trends of CMOS Inverter with Small-Geometry Devices

附錄 小几何尺寸器件中 CMOS 反相器尺寸的發展趨勢 239

Exercise Problems

習題 241

Chapter 6 MOS Inverters: Switching Characteristics and Interconnect Effects

MOS 反相器的開關特性和體效應 245

6 1 Introduction

概述 245

6 2 Delay-Time Denitions

延遲時間的定義 247

6.3 Calculation of Delay Times

延遲時間的計算 249

6.4 Inverter Design with Delay Constraints

延遲限制下的反相器設計 257

6.5 Estimation of Interconnect Parasitics

互連線電容的估算 267

6.6 Calculation of Interconnect Delay

互連線延遲的計算 280

6.7 Switching Power Dissipation of CMOS Inverters

CMOS 反相器的開關功耗 288

Appendix: Super Buffer Design

附錄 超級緩衝器的設計 297

Exercise Problems

習題 300

Chapter 7 Combinational MOS Logic Circuits

組合 MOS 邏輯電路 305

7.1 Introduction

概述 305

7.2 MOS Logic Circuits with Pseudo-nMOS (pMOS) Loads

帶偽 nMOS(pMOS) 負載的 MOS 邏輯電路 306

7.3 CMOS Logic Circuits

CMOS 邏輯電路 319

7.4 Complex Logic Circuits

複雜邏輯電路 326

7.5 CMOS Transmission Gates (Pass Gates)

CMOS 傳輸門 339

Exercise Problems

習題 349

Chapter 8 Sequential MOS Logic Circuits

時序 MOS 邏輯電路 356

8.2 Behavior of Bistable Elements

雙穩態元件的特性 357

8.3 The SR Latch Circuit

SR 鎖存電路 363

8.4 Clocked Latch and Flip-Flop Circuits

鍾控鎖存器和觸發器電路 368

8.5 Timing-Related Parameters of Clocked Storage Elements

時鐘存儲器件的相關時序特性 376

8.6 CMOS D-Latch and Edge-Triggered Flip-Flop

CMOS 的 D 鎖存器和邊沿觸發器 378

8.7 Pulsed Latch-Based Clocked Storage Elements

以時鐘存儲元件為基礎的脈衝鎖存器 384

8 8 Sense-Amplier-Based Flip-Flops

基於靈敏放大器的觸發器電路 386

8.9 Logic Embedding in Clocked Storage Elements

時鐘存儲器件中的邏輯嵌入 388

8.10 Power Consumption of Clocking System and Power Savings Methodologies

時鐘系統的能耗及其節能措施 389

Appendix

附錄 391

Exercise Problems

習題 394

Chapter 9 Dynamic Logic Circuits

動態邏輯電路 398

9.1 Introduction

概述 398

9.2 Basic Principles of Pass Transistor Circuits

傳輸電晶體電路的基本原理 400

9.3 Voltage Bootstrapping

電壓自舉技術 412

9.4 Synchronous Dynamic Circuit Techniques

同步動態電路技術 416

9.5 Dynamic CMOS Circuit Techniques

動態 CMOS 電路技術 421

9.6 High-Performance Dynamic CMOS Circuits

高性能動態邏輯 CMOS 電路 425

Exercise Problems

習題 442

Chapter 10 Semiconductor Memories

半導體存儲器 447

10.1 Introduction

概述 447

10.2 Dynamic Random Access Memory (DRAM)

動態隨機存儲器 (DRAM) 452

10.3 Static Random Access Memory (SRAM)

靜態隨機存儲器 (SRAM) 481

10.4 Nonvolatile Memory

非易失存儲器 497

10.5 Flash Memory

快閃記憶體 510

10.6 Ferroelectric Random Access Memory (FRAM)

鐵電隨機存儲器 (FRAM) 518

Exercise Problems

習題 521

Chapter 11 Low-Power CMOS Logic Circuits

低功耗 CMOS 邏輯電路 527

11.2 Overview of Power Consumption

功耗綜述 528

11.3 Low-Power Design Through Voltage Scaling

電壓按比例降低的低功率設計 541

11.4 Estimation and Optimization of Switching Activity

開關激活率的估算和最佳化 552

11.5 Reduction of Switched Capacitance

減小開關電容 558

11.6 Adiabatic Logic Circuits

絕熱邏輯電路 560

Exercise Problems

習題 568

Chapter 12 Arithmetic Building Blocks

算術組合模組 569

12.1 Introduction

概述 569

12.2 Adder

加法器 569

12.3 Multipliers

乘法器 580

12.4 Shifter

移位器 586

Exercise Problems

習題 588

Chapter 13 Clock and I/O Circuits

時鐘電路與輸入輸出電路 592

13.1 Introduction

概述 592

13.2 ESD Protection

靜電放電 (ESD) 保護 592

13.3 Input Circuits

輸入電路 596

13.4 Output Circuits and L(di/dt) Noise

輸出電路和 L(di/dt) 噪聲 600

13.5 On-Chip Clock Generation and Distribution

片內時鐘生成和分配 605

13.6 Latch-Up and Its Prevention

閂鎖現象及其預防措施 620

Appendix: Network-on-Chip: An Emerging Paradigm for Next-Generation SoCs

附錄 晶片網路:下一代片上系統的新範例 627

Exercise Problems

習題 631

Chapter 14 Design for Manufacturability

產品化設計 633

14.1 Introduction

概述 633

14.2 Process Variations

工藝變化 634

14 3 Basic Concepts and Denitions

基本概念和定義 636

14.4 Design of Experiments and Performance Modeling

實驗設計與性能建模 642

14.5 Parametric Yield Estimation

參數成品率的估計 650

14.6 Parametric Yield Maximization

參數成品率的最大值 655

14.7 Worst-Case Analysis

最壞情況分析 657

14.8 Performance Variability Minimization

性能參數變化的最小化 663

Exercise Problems

習題 666

Chapter 15 Design for Testability

可測試性設計 670

15.1 Introduction

概述 670

15.2 Fault Types and Models

故障類型和模型 670

15.3 Controllability and Observability

可控性和可觀察性 674

15.4 Ad Hoc Testable Design Techniques

專用可測試性設計技術 675

15.5 Scan-Based Techniques

基於掃描的技術 678

15.6 Built-In Self-Test (BIST) Techniques

內建自測 (BIST) 技術 680

15.7 Current Monitoring IDDQ Test

電流監控 IDDQ 檢測 683

Exercise Problems

習題 684

References

參考文獻 685

Index

索引 691

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