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光刻
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
基本介紹 光刻流程 準分子技術 極紫外技術 電子束技術 -
光刻技術
積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發...
簡述 工藝流程 曝光系統 光抗蝕劑 基本步驟 -
計算光刻
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程;投影在...
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雷射光刻
雷射光刻是利用光學-化學反應原理等方法,將電路圖形刻印在介質表面,達到想要的圖形刻意功能的新型微細加工技術。
光刻技術 光複印和刻蝕工藝 曝光方式常用的曝光方式分類 光致抗蝕劑 技術特點 -
沉浸式光刻技術
沉浸式光刻技術是在傳統的光刻技術中,其鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣,而所謂浸入式技術是將空氣介質換成液體。實際上,浸入式技術利用光通過液體介質後光源波長...
概述 -
半導體光刻技術
半導體光刻技術發展已有多半個世紀了,現在它仍保持著強勁的發展態勢,大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產,對半導體設備帶來前所未有的挑戰。
矽片直徑300mm 要適合多代技術的需求 光學曝光 當前曝光的主流技術 -
光學投影曝光微納加工技術(電子束離子束光子束微納加工技術系列專著)
《光學投影曝光微納加工技術(電子束離子束光子束微納加工技術系列專著)》,作者:姚漢民、胡松、邢廷文,由北京工業大學出版社於2006年出版,本書系統介紹主...
內容提要 編輯推薦 作者簡介 目錄 -
光學模型[描述計算光刻工藝過程的模型]
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程,描述這...
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360全息投影系統
360度全息投影系統也被稱作360度全息和360度全息成像,也稱它為360度全息投影。它是由透明材料製成的四面錐體,觀眾的視線能從任何一面穿透它,通過表...
360全息投影 技術優勢 組成部分 套用範圍 -
基腳[光學光刻中的一種現象]
“footing”是指在光刻工藝中由於顯影不充分等原因導致光刻膠圖形底部寬大的現象。