圖書信息
出 版 社：高等教育出版社
出版時間：2003-12-1字 數：340000
版 次：1頁 數：276
印刷時間：2003-12-1開 本：16開
印 次：1紙 張：膠版紙
ISBN：9787040130447包 裝：平裝
微電子概論圖書封面內容簡介
本書是普通高等教育“十五”國家級規劃教材。全書共7章，以矽積體電路為中心，重點介紹集成器件物理基礎、積體電路製作工藝、積體電路設計和微電子系統設計、積體電路計算機輔助設計（CAD）。
本書適用於非微電子專業的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生，也可供從事線路和系統集成化工作的技術人員參考。
目錄
第1章 概論
1.1 微電子技術和積體電路的發展歷程
1.1.1 電子技術與半導體積體電路
1.1.2 發展歷程
1.1.3 發展特點和技術經濟規律
1.2 積體電路的分類
1.2.1 按電路功能分類
1.2.2 按電路結構分類
1.2.3 按有源器件結構和工藝分類
1.2.4 按電路的規模分類
1.3 積體電路製造特點和本書學習要點
1.3.1 電路系統設計
1.3.2 版圖設計和最佳化
1.3.3 積體電路的加工製造
1.3.4 積體電路的封裝
1.3.5 積體電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
2.1 半導體及其能帶模型
2.1.1 半導體及其共價鍵結構
2.1.2 半導體的能帶模型
2.1.3 費米分布函式
2.2 半導體的導電性
2.2.1 本徵半導體
2.2.2 非本徵載流子
2.2.3 半導體中的漂移電流
2.2.4 半導體中的擴散電流
2.2.5 半導體中的電流
2.2.6 半導體基本方程
2.3 PN結和晶體二極體
2.3.1 平衡狀態下的PN結
2.3.2 PN結的單嚮導電性
2.3.3 理想PN結模型及其伏－安特性
2.3.4pn結電容
2.3.5pn結擊穿
2.3.6 二極體等效電路模型和二極體套用
2.3.7 PN結套用
2.3.8 其他半導體二極體
2.4 雙極型電晶體
2.4.1 雙極電晶體的直流放大原理
2.4.2 影響電晶體直流特性的其他因素
2.4.3 電晶體的擊穿電壓
2.4.4 電晶體的頻率特性
2.4.5 電晶體模型和模型參數
2.4.6異質結雙極電晶體（HBT）
2.5 JFIZT與MESFET器件基礎
2.5.1 器件結構與電流控制原理
2.5.2 JFET直流輪出特性的定性分析
2.5.3 JFET的直流轉移特性
2.5.4 JFET的器件類型和電路符號
2.5.5 JFET直流特性定量表達式
2.5.6 JFET等效電路和模型參數
2.6 MOS場效應電晶體
2.6.1 MOS電晶體結構
2.6.2 MOS電晶體工作原理
2.6.3 MOS電晶體直流伏安特性定量結果
2.6.4 MOS電晶體的閾值電壓
2.6.5 MOS電晶體特點
2.6.6 MOS電晶體模型和模型參數
2.6.7 矽柵MOS結構和自對準技術
2.6.8高電子遷移率電晶體（HEMT）
習題
第3章 積體電路製造工藝
3.1 矽平面工藝基本流程
……
第4章 積體電路設計
第5章 微電子系統設計
第6章 積體電路計算機輔助設計
第7章 IC設計舉例與設計實踐
