基區寬度必須很小(小於基區中少數載流子的擴散長度),這才能形成一個有用的電晶體,否則放大性能太差(這也有利於提高頻率和速度);同時,基區的摻雜濃度也必須小於發射區的摻雜濃度,否則同樣性能也很差(但是基區摻雜濃度也不能太低,否則要影響頻率、速度和噪聲等性能)。
一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,兩側部分是發射區和集電區,中間部分是基區。
電晶體構造中,基區很薄且雜質濃度低。
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現象 處理 影響 -
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