相關詞條
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基區展寬效應
BJT的基區寬度在大電流時發生展寬的現象,即稱為基區展寬(擴展)效應,也稱為Kirk效應。
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基區擴展電阻
基區擴展電阻rbb’是指雙極型電晶體在發射區的正下方、與結面平行的電阻,因為基極電流IB在發射區下方是不均勻橫向流動的,故這部分基區的電阻是擴展的電阻。
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發射極電流集邊效應
發射極電流集邊效應是BJT在大電流工作時出現的一種現象。BJT在大電流工作時容易出現的另外兩種重要現象是基區電導調製效應和基區擴展效應。
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BJT穿通電壓
穿通電壓。穿通效應產生的機理可區分為基區穿通、外延層穿通和缺陷造成的局部...發生雪崩倍增時、集電結勢壘區就已經擴展到了整個基區(即基區寬度減小到0...)。所以,基區的穿通是伴隨有擊穿效應的,即穿通與擊穿同時存在。這時,穿通...
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固態電子學基礎
、製作、物理特性及電路模型,以及(3)基本模組電路。其中每章第二部分中的擴展...:先進的器件物理(消離化及重摻雜效應、亞閾值電流、高場遷移率、MOSC...及評論的中高等水平的參考書以及約500道習題均可用以擴展本書範圍外的學習...
內容簡介 圖書目錄 -
GTR
電力電晶體的功率損耗大、工作電流大,因此它存在著諸如基區大注入效應、 基區擴展效應和 發射極電流集邊效應等特點和問題。 基區大注入效應是指基區中...。 基區擴展效應是指在大電流條件下有效基區變寬的效應。器件在小電流狀態工作...
概述 電力電晶體(GTR) 日產公司生產的高性能汽車 -
雙極型積體電路
年代初,人們開始在積體電路中利用熟知的肖特基效應。在TTL電路上製備...飽和狀態,從而消除和避免了載流子存儲效應。與此同時,在TTL電路與非門輸出級...。電路中按電阻阻值大小選擇製備電阻的工藝,大多數是利用電晶體基區P型擴散...
簡介 分類 特點和原理 工藝製備 版圖設計 -
微電子器件基礎
4 大注入臨界電流密度第2節 有效基區擴展效應1 注入電流對集電結空間電荷區電場分布的影響2 基區擴展第3節 發射極電流集邊... 電晶體的功率特性第1節 基區電導調製效應1 注入對基區栽流子分布...
內容簡介 圖書目錄 -
hbt
(因基區摻雜濃度高,耗盡區不易在基區內擴展);基區穿通電壓較高;當輸出功率...。由寬頻隙半導體材料製作發射區,以窄帶隙材料製作基區的雙極型電晶體成為...均為異質結的HBT按發射結和基區結構:突變發射結HBT緩變發射結HBT...
品牌簡稱 異質結雙極電晶體