基區渡越時間

In p(x)/In (ηDn

對於雙極型電晶體，少數載流子渡越中性基區的時間τB即稱為基區渡越時間；它與基區寬度W直接有關：因為

In = Aqnp(x)v(x)，dx = v(x) dt，

則得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / IC 。

對均勻基區電晶體τB = W/ ( 2 Dn )；對緩變基區電晶體τB = W / (ηDn)，η> 2。對於基區較寬、特徵頻率fT不是很高的電晶體，τB往往是決定電晶體頻率特性的主要因素，這時為了提高頻率性能，就應當減小基區寬度（可採用淺結工藝來製作薄的基區）和增大電場因子η（可增加基區在發射結一側的摻雜濃度來增強漂移電場，同時可提高發射區雜質分布的陡峭度以減小阻滯電場，不過，若摻雜濃度太高反而會使載流子的擴散係數減小，故η一般控制在3~6之間）。