實際上是這樣來實現隔離的:在基區擴散的同時,形成一個隔離帶,並且在此隔離帶上加上一個大的反向電壓,使得隔離帶的耗盡層直達襯底。
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雙極型積體電路
。電路中按電阻阻值大小選擇製備電阻的工藝,大多數是利用電晶體基區P型擴散...基區P型擴散的同時,製作每方約 150~200歐·厘米的P型擴散電阻...、擴散電阻的寄生電容和有源寄生效應。隔離電容是集電極N型區與隔離槽或襯底...
簡介 分類 特點和原理 工藝製備 版圖設計 -
雙極積體電路
電晶體基區P型擴散的同時,製作每方約 150~200歐·厘米的P型擴散...。雙極型積體電路主要以矽材料為襯底,在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術,以雙極...。雙極型積體電路主要以矽材料為襯底,在平面工藝基礎上採用埋層工藝和隔離技術...
雙極積體電路 三態門 雙極型積體電路 簡介 分類 -
集成注入邏輯電路
的基礎上經過改進而成。I2L電路無需隔離,結構緊湊,不用電阻,可以獲得很高...橫向電晶體作為恆流源。橫向電晶體是指PNP或NPN電晶體的發射區、基區...。橫向PNP電晶體製作簡單,能與NPN電晶體工藝兼容,不增加工序。在擴散...
集成注入邏輯電路 正文 配圖 相關連線 -
微電子學英語
Base contact 基區接觸Base stretching 基區擴展效應Base transit time 基區渡越時間Base transport efficiency 基區輸運效率Base-width...
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跗肢節
)。額區與唇基區合稱額唇基區( Frontocylpeus area...
簡介 相關介紹 參考資料 -
線性積體電路
一個環狀的P型擴散區作集電極,用環中另一個P型擴散 線性積體電路 區作...離子注入技術製作基區,基區摻雜濃度比通常NPN管基區低一個數量級,基區厚度也比通常NPN管基區更薄(圖2)。亞表面擊穿二極體 通常的擊穿二極體...
簡介 發展情況 製作工藝 高頻工藝 電路類型 -
光電轉換
一起,會因為兩邊自由電子與空穴的濃度不同產生擴散。N型半導體中自由電子濃度較高,因此自由電子由N型半體向P型半導體擴散,同樣的空穴會由P型半導體向N型半導體擴散。擴散的結果使得接面附近的N型半導體失去電子得到空穴而帶...
簡介 因素 原理 光電轉換材料 光電轉換器件原理 -
半導體光電器件
三極度管相同,但基區面積較大,便函於接收更多的入射光線。入射光在基區激...。這些光生電子和空穴,會向 PN結方向擴散。擴散過程中,一部分電子和空穴複合消失,大部分擴散到PN結邊緣。在結電場的作用下,大部分光生空穴被電場...
光電導器件 光伏打器件 種類 -
光電感測技術
——發射極和集電極,基極不引出,管殼同樣開視窗,以便光線射入。為增大光照,基區面積做得很大,發射區較小,入射光主要被基區吸收。工作時集電結反偏,發射結正...一個開關控制信號。擴散反射型光電開關:擴散反射型光電開關的檢測頭裡也裝有...