《半導體學報》:《半導體學報》是中國電子學會和中國科學院半導體研究所主辦 -百科知識中文網

刊物簡介

《半導體學報》主要報導半導體物理學、半導體科學技術和相關科學技術領域內最新的科研成果和技術進展，內容包括半導體超晶格和微結構物理，半導體材料物理，包括量子點和量子線等材料在內的新型半導體材料的生長及性質測試，半導體器件物理，新型半導體器件，積體電路的CAD設計和研製，新工藝，半導體光電子器件和光電集成，與半導體器件相關的薄膜生長工藝，性質和套用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導體和相關材料為中心的，從物理，材料，器件到套用的，從研究到技術開發的，跨越物理和信息兩個學科的綜合性學術刊物。《半導體學報》發表中、英文稿件。
《半導體學報》主要讀者對象是從事半導體科學研究、技術開發、生產及相關學科的科技人員、管理人員和大專院校的師生。

發展成就

《半導體學報》被世界四大檢索系統（美國工程索引(EI)，化學文摘(CA)，英國科學文摘(SA)，俄羅斯文摘雜誌(РЖ)）收錄。

人員隊伍

編輯部

編輯部主任：李樹深 Tel：82304291 Email：[email protected]
編輯部副主任：鄧航軍 Tel：82304311 Email：[email protected]
成員：李樹深、鄧航軍、王琳、金瑞琴

編輯委員會名單

主編：
王守武
副主編：
王守覺、李志堅、王陽元、鄭厚植
常務副主編：
李樹深
委員（按漢語拼音排序）
白丁、蔡懿慈、陳光華、陳弘毅、陳良惠、陳星弼、陳治明、戴倫、鄧航軍、杜國同、方家熊、封松林、葛惟昆、郭麗偉、郝躍、黃德修、黃慶安、黃如、江風益、金智、雷嘯霖、李晉閩、梁駿吾、劉曉彥、陸昉、羅毅、齊鳴、錢鶴、錢佩信、秦福、仇玉林、任曉敏、單崇新、邵志標、沈光地、唐璞山、王啟明、王圩、王渭源、王占國、夏永偉、許寧生、許振嘉、楊乃彬、葉志鎮、張光寅、張國義、張榮、張樹丹、張興、張義門、趙元富、趙正平、鄭有炓、周炳琨、周壽恆、朱邦芬

海外顧問委員會

（Members of Overseas Advisory Committee of Chinese Journal of Semiconductors）
Prof. Z. I. Alferov
Ioffe Physico-Technical Institute
26, Polytechnicheskaya st.
St.Petersburg 194021
Russian Federation
Prof. M. F. Li
ECE Department
National University of Singapore
10 Kent Ridge Crescent
Singapore 119260
Dr. F.Balestra
Directeur de Recherche au CNRS
Directeur de l'IMEP
Institut de Microelectronique,
Electromagnetisme et Photonique
(UMR CNRS/INPG/UJF)
IMEP
INP Grenoble-Minatec, 3 parvis Louis Neel
BP 257, 38 016 Grenoble Cedex 1,
France
Prof. H. C. Liu
Quantum Devices Group Leader
Institute for Microstructural Sciences
National Research Council
1500 Montreal Road, Building M-50,
Ottawa Ontario K1A 0R6, Canada
Prof. J.C.Bourgoin
LABORATOIRE DES MILIEUX
DESORDONNES ET
HETEROGENES
UNIVERSITE P. ET M.Curie
4, place Jussieu(Tour 22, Casier 86)
75252 PARIS Cedex 05 (France)
Prof. Chihtang Sah
Eminent Scholar Chair and
Graudate Research Professor
University of Florida
USA
Prof. A. Y. Cho
Semiconductor Research Vice President
Bell Laboratories-Lucent Technologies
600 Mountain Avenue--Room 6H-422
Murray Hill, NJ 07974, USA
Prof. S. M. Sze
National Nano Device Laboratories
National Chiao Tung University
1001-1 Ta Hsueh Road,Hsinchu 300
Taiwan, China
Prof. M. Henini
School of Physics and Astronomy
University of Nottingham Nottingham
NG7 2RD, UK
Prof. K. L. Wang
Electrical Engineering Department
UCLA, Los Angeles
California 90024-1594, USA

投稿須知

《半導體學報》是中國電子學會和中國科學院半導體研究所共同主辦的國家一級刊物（月刊，國內外公開發行），被EI、CA、SA、AJ等收錄，主要報導半導體物理、材料、器件、積體電路、工藝等領域的最新科研成果。
1 總則
請遵守學術規範和準則，勿一稿多投，在稿件中勿出現抄襲、剽竊他人成果的內容。作者向《半導體學報》投稿，意味著在稿件被錄用後作者同意把該文的著作權（含光碟、網路等各種介質）轉讓給《半導體學報》編輯部。稿件必須用英文撰寫，用A4紙單欄、隔行排版，字號不小於五號字。如果文章需要快速發表，需和編輯部聯繫並說明理由。
2 來稿要求
稿件應觀點明確，數據可靠，言簡意賅，重點突出。與本文內容類似或密切相關的已發表論文，應列入參考文獻，以示尊重。
2.1 題目、作者、單位和摘要
題目應簡潔、準確，不宜太長，題目不宜超過10個實詞。文章的作者署名在投稿時應明確，以後不宜更改。作者單位需寫出全稱、所在城市和郵政編碼。摘要應語義確切，表述簡明，宜用第三人稱寫明論文的目的、方法、結果和結論。文後需附中文題目、作者、單位、摘要和關鍵字。
2.2 關鍵字、PACC或EEACC
應給出反映文章特徵內容，通用性比較強的關鍵字3～6個；PACC或EEACC專業代碼1～3個。
2.3 基金及其批准號
若文章得到省、部級以上基金資助，應給出基金的全稱及其批准號。
2.4 縮略詞、符號及計量單位
摘要和正文中的縮略詞在第一次出現時都必須寫出全稱。外文字母、符號必須分清大小寫，正、斜體，上、下角。計量單位請用國家法定計量單位，全文文種要始終一致。
2.5 圖、照片、表
圖和照片按出現先後順序編號，圖的寬度一般不超過8cm，圖框宜細，刻度向里，曲線略粗，墨色要黑，線條要勻，圖中文字應與正文一致。照片要求黑白反差大，層次清晰。表格應簡潔、明確，宜用三線表。
正式排版時將直接採用作者提供的圖，因此需要作者提供高質量的圖。在圖被縮小至半欄或通欄尺寸時，圖中的文字和線條必須保持清晰，文字大小合適（6號字），坐標刻度疏密適中。
在電子版中可免費使用彩色圖或照片，如果在印刷版中使用彩色圖或照片，每頁需附1200元費用。
2.6 參考文獻
參考文獻按在正文中出現的順序編號，用方括弧括住置引文處右上角，並與文末參考文獻序碼對應一致。請勿引用尚未公開發表的資料，中文參考文獻需翻譯成相應的英譯。參考文獻著錄項目應齊全。
期刊的格式為：作者（列前三名）. 題目. 刊名, 年份, 卷（期）：頁碼
例：Zhang Heqiu, Mao Lingfeng, Xu Mingzhen, et al. Effect of neutral traps on tunneling current and SILC in ultrathin oxide layer. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(4):367
書籍的格式為：作者（列前三名）. 書名. 出版地：出版社, 年份
例：Schroder D K. Semiconductor material and device characterization. New York: John Wiley & Sons, 1990
3 評審
來稿將送有關專家審閱。審稿周期大約為45天。作者在收到修改意見後，須在3周內修改完成。刊登與否由編委最後審定。不擬刊登之稿，會儘快函告作者。
4 投稿
請登錄《半導體學報》網站投稿，不接收Email或郵寄投稿。有關稿件狀況可在網上查詢。接收LaTeX檔案，在稿件被錄用後如果能提供LaTeX源檔案將有助於文章的快速發表。