PN結的電容效應限制了二極體三極體的最高工作效率,PN結的電容效應將導致反向時交流信號可以部分通過PN結,頻率越高則通過越多。
二極體,三極體反向的時候,PN結兩邊的N區和P區仍然是導電的,這樣兩個導電區就成了電容的兩個電極。從而構成PN結的電容效應。
為了減小這個電容,會減小PN結面積或增加PN結厚度,並且一般用勢壘電容,擴散電容來等效。
PN結具有電容效應
PN結的電容效應限制了二極體三極體的最高工作效率,PN結的電容效應將導致反向時交流信號可以部分通過PN結,頻率越高則通過越多。
二極體,三極體反向的時候,PN結兩邊的N區和P區仍然是導電的,這樣兩個導電區就成了電容的兩個電極。從而構成PN結的電容效應。
為了減小這個電容,會減小PN結面積或增加PN結厚度,並且一般用勢壘電容,擴散電容來等效。
PN結具有電容效應
採用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體製作在同一塊半導體(通常是矽或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結(英語:PN...
原理 特性 套用 發展過程 製造工藝在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。 P型半導體一邊的空間電荷是負離子,N型半導體一邊的空間電荷是正離子。 PN結加反向電壓時,空間...
PN結(PNjunction) PN結的平衡態 PN結的工作原理 參考資料PN結隔離(isolation with p-n junction)是指把需要相互絕緣的各部分,用加有反向偏壓的PN結來實現隔離。當對一個PN結施加反向...
簡介 特點 襯底材料的選擇 PN結隔離改進一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(英語:pn junction)。PN結是電子技術中許多元件,...
簡介 作用 歷史 原理 製造工藝一塊一側摻雜成P型半導體,另一側參雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(英語:pn junction)
簡介 歷史 原理 製造工藝 性質在積累空間電荷的勢壘區,當PN結外加電壓變化時,引起積累在勢壘區的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少,這種現象與電容器的充、放電過程...
概述 PN結勢壘電容的測量 套用MOSFET的襯偏調製效應也就是所謂MOSFET襯偏效應、或者MOSFET的體效應。
襯偏調製效應的概念 襯偏效應對器件性能的影響 如何減弱或消除襯偏效應寄生電容(parasitic capacitance),也稱為雜散電容,是電路中電子元件之間或電路模組之間,由於相互靠近所形成的電容,寄生電容是寄生元件...
寄生元件 雜散振盪 相關條目