簡介
海力士Hynix 海力士晶片生產商 源於韓國品牌英文縮寫"HY"海力士為原來的現代記憶體,2001年更名為海力士.代表理事：權吾哲（권오철）。
海力士半導體在1983年以現代電子產業株式會社成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。
海力士半導體是世界第二大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。目前在韓國有4條8英寸晶圓生產線和一條12英寸生產線，在美國俄勒岡州有一條8英寸生產線。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處於第二位，中國市場占有率處於第一位. 目前在世界各地有銷售法人和辦事處，共有員工21000人（含海外員工）.
海力士（Hynix）半導體作為無形的基礎設施，通過半導體，竭盡全力為客戶創造舒適的生活環境。目前，海力士半導體致力生產以DRAM和NAND Flash為主的半導體產品。
海力士半導體以超卓的技術和持續不斷的研究投資為基礎，每年都在開闢已步入納米級超微細技術領域的半導體技術的嶄新領域。
另外，海力士半導體不僅標榜行業最高水平的投資效率，2006年更創下半導體行業世界第七位，步入純利潤2萬億韓元的集團等，正在展現意義非凡的增長勢力。海力士半導體不僅作為給國家經濟注入新鮮血液的發展動力，完成其使命，同時不斷追求與社會共同發展的相生經營。海力士半導體為發展成為令顧客和股東滿意的先導企業，將盡心盡責，全力以赴。
主要歷程
| 2009年 | 05月 成立中國無錫市後續工程合作社 04 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證 02 世界最先開發44nm DDR3 DRAM 01 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模組為基礎的超高速DDR3的英特爾產 品認證 |
| 2008 | 12 世界最先開發2Gb Mobile DRAM 11 引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM 為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大 05 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案 04 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎 開發出世界最高速Mobile LPDDR2 02 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程式上進行合作的契約 8發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證 |
| 2007 | 12 成功發行國際可兌換券(global convertible notes) 11 WTO做出判決海力士進口晶片相關報復性關稅一案，日本敗訴 與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協定 獲得對1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證 業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM 10 與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證契約 與環境運動聯合（韓國）簽署關於在環境管理上進行合作的契約 09 以24層疊晶片(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP 08 開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07 發表企業中長期總體規劃 05 業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證 04 DOC H3開始大量生產 在韓國清州300mm設施開工 實現最高水平的營業利潤率 03 開發出世界最高速ECC Mobile DRAM 發表“生態標記(ECO Mark)” 與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應契約 與SanDisk就特許商戶許可證契約達成協定及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU) 金鐘甲就任新任代表理事、社長 01 開發出以“晶圓級封裝(Wafer Level Package)”技術為基礎的超高速存儲器模組 2006 年創下最高業績及利潤 |
| 2006 | 12 業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模組 開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10 創下創立以來最高業績 通過海力士ST半導體（株）的竣工，構建國際性生產網路 09 300mm研究生產線下線 03 業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證 01 發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計畫(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip) |
| 2005 | 12 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11 業界最先推出JEDEC標準8GB DDR2 R-DIMM 07 提前從企業重組完善協定中抽身而出 04 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮 03 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤 01 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協定 |
| 2004 | 11 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協定 08 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協定 07 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤 06 簽訂非記憶體事業營業權轉讓協定 03 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證 02 成功開發NAND快閃記憶體 |
| 2003 | 12 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU 08 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。 07 宣布在世界上首次發表DDR500 06 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證 05 採用0.10微米工藝技術投入生產 超低功率256Mb SDRAM投入批量生產 04 宣布與STMicroelectronics公司簽定協定合作生產NAND快閃記憶體 03 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM |
| 2002 | 11 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門 10 開發0.10微米、512MB DDR 08 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM 06 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶 03 開發1G DDR DRAM模組 |
| 2001 | 8 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08 完成與現代集團的最終分離 07 剝離CDMA移動通信設備製造業務‘Hyundai Syscomm’ 05 剝離通信服務業務‘Hyundai CuriTel’ 剝離網路業務‘Hyundai Networks’ 03 公司更名為“Hynix半導體有限公司” |
| 2000 | 08 剝離顯示屏銷售業務‘Hyundai Image Quest’ 04 剝離電子線路設計業務‘Hyundai Autonet’ |
| 1999 | 10 合併LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社 03 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC） |
| 1998 | 09 開發64M的DDR SDRAM |
| 1997 | 05 在世界上首次開發1G SDRAM |
| 1996 | 12 公司股票上市 |
| 1995 | 10 在世界上首次開發256M的SDRAM 在美國俄勒岡州設立半導體工廠 |
| 1993 | 09 獲得半導體類ISO9001證書 08 接管Maxtor公司（美國HDD生產公司） |
| 1992 | 11 開發64M的DRAM |
| 1991 | 03 開發16M的DRAM |
| 1989 | 11 完成FAB III 09 開發4M的DRAM |
| 1988 | 11 在歐洲當地設立公司（HEE） 01 開發1M的DRAM |
| 1986 | 06 舉行第一次員工文化展覽會“Ami Carnical” 04 設立半導體研究院 |
| 1985 | 10 開始批量生產256K的DRAM |
| 1984 | 09 完成FAB II-A |
| 1983 | 02 創立現代電子株式會社 公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營 持續經營報告書倫理經營 倫理經營宣言倫理綱領組織介紹實踐體系產業保全方針線上舉報公司標誌 |
