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全耗盡型SOI
SOI工藝實現了優異的介質隔離，消除了體矽CMOS電路固有Latch-up 效應，同時具有寄生電容小、集成度高、漏電流小等優點。SOI CMOS器件的橫...
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SOI
的低壓、低功耗積體電路的主流技術。 薄膜全耗盡FDSOI通常根據在絕緣體上的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully...薄膜全耗盡FDSOI應該是非常有前景的SOI結構。 注氧隔離的SIMOX...
總述 薄膜全耗盡FDSOI 注氧隔離的SIMOX -
SOI[矽技術]
的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和...、高跨導、良好的短溝道特性和接近理想的亞閾值斜率等優點。因此薄膜全耗盡...。在這三種材料中，SIMOX適合於製作薄膜全耗盡超大規模積體電路...
簡介 發展歷史 結構功能 材料種類 套用範圍
