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絕緣體上矽
絕緣體上矽，在整個行業向新一代半導體器件的衍變過程中，晶片製造商面臨著嚴峻的挑戰。具體的講，生產高性能晶片的製造商面臨的挑戰來自對速度更快、溫度更低的芯...
結構 基於SOI的器件 SOI 晶圓的製造 高級的工程基板 -
SOI[矽技術]
SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽，該技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。
簡介 發展歷史 結構功能 材料種類 套用範圍 -
SOI材料
頂層矽厚度的降低，表面懸掛鍵對SOI層電性能的影響不斷增大。2006年Nature上有文章稱當頂層矽的厚度到10nlTl後，由於表面缺陷能級與SOI／BC)x界面能級相互影響，會改變頂層矽的費米能級促進其導電性，這種...
簡介 發展歷史 優缺點 製備技術 套用領域 -
多晶矽太陽電池
近年來超越單晶矽太陽電池主要有以下幾點原因（1）晶體矽生長技術與設備...的推廣。近年來在原有晶體矽生長方法的基礎上，誕生了熱交換法和電磁澆鑄... 的 鈍 化 作 用。氧 化 矽 膜 比 傳 統 的 氧 化 鈦減反射膜穩定...
概述 多晶矽電池的優勢 多晶矽電池發展歷史 電池構成及配件作用 電池測試條件 -
準東
《認真貫徹習近平總書記提出的“嚴禁三高項目進新疆”指示精神，著力推進矽基新材料產業健康發展實施意見》，決定將準東打造成矽基新材料產業基地。[1] 管理...”“國家大型煤炭煤電煤化工基地”“國家循環化改造示範試點園區”“矽基新材料...
基本情況 歷史沿革 管理範圍 兩個新城 發展規劃 -
《太陽能電池：工作原理、技術和系統套用》
5.6 小結 習題 參考文獻 第6章 標準矽太陽能電池工藝 6.1 引言 6.2 由砂還原為冶金級矽 6.3 冶金級矽提純為半導體級矽 6.4 半導體級多晶矽轉變為單晶矽片...
內容簡介 目錄 前言 -
永凝液dps防水劑
. 滲透到混凝土內部1-2cm深，形成的矽凝膠，永久性防水。 2.岀現任何工程...生成的矽凝膠同混凝土融為一體，防水壽命與混凝土壽命一樣長。 2. 出現...
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平板探測器
、硒層、電介層、頂層電極和保護層等構成。集電矩陣由按陣元方式排列...很高的圖像解析能力 。頂層電極接高壓電源，當有X線入射時，由於高壓電源...由醫生觀察監視器直接診斷 。非晶矽平板探測器非晶矽平板探測器為間接...
背景 基本構成和原理 平板探測器的主要類型 不同平板探測器的比較 -
太陽能電池工作原理、技術和系統套用
的影響5．4 效率損失5．5 效率測量5．6 小結習題參考文獻第6章 標準矽太陽能電池工藝6．1 引言6．2 由砂還原為冶金級矽6．3 冶金級矽提純為半導體級矽6．4 半導體級多晶矽轉變為單晶矽片6．5 單晶矽片製成...
基本信息 內容簡介 目錄 -
SOI
襯底上的矽）技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點：可以實現積體電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應；採用這種材料...
總述 薄膜全耗盡FDSOI 注氧隔離的SIMOX
