相關詞條
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襯底偏壓效應
這是MOSFET及其IC在使用中需要特別注意的一個重要問題。因為MOSFET是依靠表面反型層——溝道來導電的，因此器件中存在一個由柵極電壓所誘生出來的p...
什麼是襯偏效應 襯偏效應對器件性能的影響 減弱或消除襯偏效應的措施 -
柔性非晶矽薄膜太陽能技術
百科名片薄膜太陽能電池按襯底分為硬襯底和柔性襯底兩大類。所謂柔性襯底太陽能電池是指在柔性材料(如不鏽鋼、聚酯膜)上製作的電池，與平板式晶體矽、玻璃襯底的非晶矽等硬襯底電池相比，其最大的特點是重量輕、可摺疊和不易...
百科名片 結構 國內外現狀 柔性太陽能電池製備 -
MOS電晶體
與NMOS相類似。因為PMOS是N型矽襯底，其中的多數載流子是電子，少數...對於源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應...的影響，襯底中感應的正電荷數量就等於PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強...
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應 -
襯偏效應
呈現出一定JFET的功能。④產生襯底電容由於襯偏電壓會引起背柵調製作用...的襯底電位是時刻變化著的，若對器件襯底的電位不加以控制的話，那么就有可能會出現場感應結以及源-襯底結出現正偏的現象；一旦發生這種現象時，器件和電路...
什麼是襯偏效應 襯偏效應對器件性能的影響： 減弱或消除襯偏效應的措施 -
SOI材料
測量正界面陷阱密度，而在襯底(背柵)上施加脈衝就可以測量背面陷阱密度... (通常為 SiO )實現了器件和襯底的全介質隔離，在器件性能上具有以下優點...）抑制了襯底的脈衝電流干擾，減少了軟錯誤的發生；5）與現有矽工藝兼容，可...
簡介 發展歷史 優缺點 製備技術 套用領域 -
太陽電池
。級聯p-n 結太陽電池是在一塊襯底上疊加多個不同帶隙材料的 p-n結...的性能，可以採取淺結、密柵、背電場、背反射、絨面和多層膜等措施，增大單體...
太陽電池簡介 發展歷史 分類 發展情況 太陽能用途 -
襯偏調製效應
的，而溝道與襯底之間即形成一個所謂場感應pn結。在MOSFET及其IC...，在電路工作時，其中各個MOSFET的襯底電位是時刻變化著的，如果對器件襯底的電位不加以控制的話，那么就有可能會出現場感應pn結以及源-襯底pn結髮生...
襯偏調製效應的概念 襯偏效應對器件性能的影響 如何減弱或消除襯偏效應 -
第十一屆中國光伏大會暨展覽會會議論文集
單晶矽太陽能電池表面織構的正交實驗驗證 矽太陽能電池鋁背場(BSF...正面銀漿的研製 溫度對多晶酸制絨的影響 對太陽能電池背電極的研究...太陽能電池的背場鈍化技術研究 晶體矽太陽電池的暗電流類型分析 絲網印刷...
圖書信息 內容簡介 目錄 -
薄膜太陽能電池[一種新的能源材料]
概念基本 非晶矽(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO)，然後依次用電漿反應沉積p型、i型、n型三層...、塑膠等作襯底。物理優勢薄膜太陽能電池矽材料是現今太陽電池的主導材料...
概念基本 物理優勢 原理 參數 模組結構 -
薄膜太陽能電池
概念基本 非晶矽(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO)，然後依次用電漿反應沉積p型、i型、n型三層...、塑膠等作襯底。物理優勢薄膜太陽能電池矽材料是現今太陽電池的主導材料...
概念基本 物理優勢 原理 參數 模組結構
