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全耗盡型SOI
SOI工藝實現了優異的介質隔離，消除了體矽CMOS電路固有Latch-up 效應，同時具有寄生電容小、集成度高、漏電流小等優點。SOI CMOS器件的橫...
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SOI
根據在絕緣體上的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結構。由於SOI的介質隔離，製作在厚膜SOI結構上的器件正、背界面的耗盡層...
總述 薄膜全耗盡FDSOI 注氧隔離的SIMOX -
SOI[矽技術]
的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結構。由於SOI的介質隔離，製作在厚膜SOI結構上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響...
簡介 發展歷史 結構功能 材料種類 套用範圍
