SB700南橋支持快閃記憶體加速
為配合新一代作業系統Vista新增的ReadyBoost及ReadyDrive技術，Intel於4月中發布的新一代迅馳平台Santa Rosa中，加入了全新的Turbo Memory技術，能配合ReadyBoost技術提高作業系統及應用程式的啟動效率，而AMD亦不敢怠慢，將會於新一代SB700南橋中，加入全新 HyperFlash技術應戰，此技術將會採用Samsung的OneNAND Flash模組，體積減小並有效降低成本。
據微軟指出，新一代Windows Vista作業系統的ReadyBoost及ReadyDrive功能，能縮短作業系統及應用程式的啟動時間，為硬碟提供更大的快取容量，提升讀寫時間，並減少硬碟啟動及轉動次數，降低硬碟的耗電，進一步提升電池續航力，而Intel Turbo Memory技術支持以上兩項功能，令運作Vista時能效表現更好。
為對抗Intel Turbo Memory技術，AMD計畫於SB700南橋中加入全新的HyperFlash技術，它將會把快閃記憶體控制器線路與IDE匯流排整合，支持三星OneNAND 晶片，最高支持4顆，晶片頻率為80MHz，16Bit接口最高傳輸速度為108MB/s，並聲稱相比Intel Turbo Memory快30%。
目前，HyperFlash所採用的模組是由Molex設計，PC廠商可自行生產HyperFlash卡，可支持512MB、1GB及2GB容量，相比Intel Turbo Memory必須由Intel自行生產，HyperFlash的吸引力自然較高，如果HyperFlash行銷策略成功，將有望迫使Intel把 Turbo Memory生產下放給PC廠商。
根據AMD晶片組最新規劃，SB700南橋正處於A12樣本階段，預計DVT樣品將會在11月初試產，12月正式量產，不過量產後初期HyperFlash功能只會在Beta驅動程式中提升，支持HyperFlash的正式版本驅動程式預計要在明年2月才會上陣。
