中子嬗變摻雜，Neutron Transmutation Doping (NTD)
這是採用中子輻照的辦法來對材料進行摻雜的一種技術，其最大優點就是摻入的雜質濃度分布非常均勻。
對於半導體矽，通過熱中子的輻照，可使部分的Si同位素原子轉變為磷（P）原子[14Si31的半衰期為2.62小時]： 14Si30+ 中子 → 14Si31+γ射線 →→ 15P31+β射線；從而在Si中出現了施主磷而使Si成為了n型。
對於Ge，通過熱中子的輻照，可使含量超過95%的同位素32Ge70原子轉變為受主31Ga71，從而可使Ge成為p型半導體。
由於同位素原子在晶體中的分布是非常均勻的，而且中子在矽中的穿透深度又很大[≈100cm]，所以這種n型Si和p型Ge的摻雜非常均勻。這對於大功率半導體器件和輻射探測器件的製作是很有用的。
