簡介
EPROM是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM記憶體，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶片比較容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程後的EPROM晶片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不乾膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
EPROMEPROM晶片可重複擦除和寫入
，解決了PROM晶片只能寫入一次的弊端。EPROM晶片有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃視窗，透過該視窗，可以看到其內部的積體電路，紫外線透過該孔照射內部晶片就可以擦除其內的數據，完成晶片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶片中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12~24V，隨不同的晶片型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶片。EPROM晶片在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把視窗封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM晶片在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都為1（高電平）註：0為低電平。
（概述圖片來源：）
特點
EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用於產生EPROM編程所需要的高壓脈衝信號的裝置。編程時將EPROM的數據送到隨機存儲器中，然後啟動編程程式，編程器便將數據逐行地寫入EPROM中。
一片編程後的EPROM，可以保持其數據大約10～20年，並能無限次讀取。擦除視窗必須保持復蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS晶片，一般都是EPROM，擦除視窗往往被印有BIOS發行商名稱、版本和著作權聲明的標籤所復蓋。現在EPROM已經被EEPROM取代（電擦除唯讀暫存器）
一些在快閃記憶體出現前生產的微控制器，使用EPROM來儲存程式的版本，以利於程式開發；如使用一次性可程式器件，在調試時將造成嚴重浪費。
工作原理
雙層柵結構EPROM是可程式器件,主流產品是採用雙層柵(二
層poly)結構，主要結構如圖一所示。
浮柵中沒有電子注入時,在控制柵加電壓時,浮柵中的電子跑到上層,下層出現空穴.
由於感應,便會吸引電子,並開啟溝道.
如果浮柵中有電子的注入時,即加大的管子的閾值電壓,
溝道處於關閉狀態.這樣就達成了開關功能。
EPROM的寫入過程如圖二所示,這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓,電子從源極流向漏極溝道充分開啟.在高壓的作用下,電子的拉力加強,能量使電子的溫度極度上升,變為熱電子(hot electrON).這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射,在受控制柵的施加的高壓時,熱電子使能躍過SiO2的勢壘,注入到浮柵中.
在沒有別的外力的情況下,電子會很好的保持著.在需要消去電子時,利用紫外線進行照射,給電子足夠的能量,逃逸出浮柵。
EEPROM的寫入過程,是利用了隧道效應,即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊.
量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時,電子將呈現波動性,這裡就是表明物體要足夠的小.
就pn結來看,當p和n的雜質濃度達到一定水平時,並且空間電荷極少時,電子就會因隧道效應嚮導帶遷移.
電子的能量處於某個級別允許級別的範圍稱為"帶",較低的能帶稱為價帶,較高的能帶稱為導帶.
電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動,這種運動就是電流。
EEPROM寫入過程,如圖3所示,根據隧道效應,包圍浮柵的SiO2,必須極薄以降低勢壘。
源漏極接地,處於導通狀態.在控制柵上施加高於閾值電壓的高壓,以減少電場作用,吸引電子穿越。
