簡介
DRIE，全稱是Deep Reactive Ion Etching，深反應離子刻蝕，一種微電子乾法腐蝕工藝。
基於氟基氣體的高深寬比矽刻蝕技術。
與反應離子刻蝕原理相同，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。
不同之處在於：
特點
兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離，有效避免了RIE
刻蝕中射頻功率和等離子密度之間的矛盾；
刻蝕和鈍化交替進行的Bosch工藝：實現對側壁的保護，能夠實現可
控的側向刻蝕，可以製作出陡峭或其他傾斜角度的側壁。
DRIE工藝步驟（Bosch工藝）： 鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕--
鈍化
反應室中通入C4F8氣體，通過化學反應形成聚合物薄膜；
刻蝕：反應室中通入SF6氣體，進行物理和化學刻蝕。
影響因素
刻蝕/鈍化時間比
增大刻蝕/鈍化時間比，側壁形貌易呈現（c）圖，
反之為（a）圖，等比例減小刻蝕/鈍化時間比不變，
可降低側壁鋸齒狀痕跡的顯著程度。
平板功率
（a）上大下小結構
功率過小，離子轟擊不足，會呈現圖（a）。反
之，為圖（b）。
壓力
壓力高，離子碰撞損耗大，轟擊作用不明顯，如
圖（a） 離子間碰撞形成的散射還有可能對側壁腰
部產生刻蝕，產生中間大、上下小的結構
。如圖（b）。
線圈功率
功率大則刻蝕速率高，反之則刻蝕速率低。
