點陣像

點陣像即衍 1956年J.W.門特首先拍攝到酞菁銅和酞菁鉑的一維點陣像，分辨開了間距為 10～12┱的晶面族。令不在一列上的若干衍射束(三束以上)成像時,得到二維點陣像（圖2）。其中的斑點(或條紋)代表晶體點陣在像平面上的投影。因此，從一維和二維點陣像上能直觀地看到晶體點陣的周期，晶體中的位錯、層錯以及異類晶體的交生等也都能在點陣像上直觀地反映出來（圖1）。 拍攝點陣像時，依入射束是否與電子顯微鏡的光軸重合，是否通過物鏡光闌中心而有對稱照明與傾斜照明之分。點陣像的解析度除與電子顯微鏡的分辨本領有直接關係外,還取決於參與成像衍射束的最大空間頻率(見光學信息處理) ，但後者又因物鏡球差而不能隨意增大。 70年代初，電子顯微鏡的分辨本領已經達到原子量級。當用厚度小於100┱的極薄晶體拍攝高解析度的點陣像時，在合適的欠焦量下，這種高解析度的點陣像與晶體結構沿入射電子束方向的投影相似，不僅能反映出晶體點陣的周期，還可分辨出晶體結構中的原子或原子團，所以稱為結構像（圖3），可用來直接觀察晶體結構和晶體缺陷。 結構像的襯度屬相位襯度，可藉助電子衍射動力學理論來解釋。在實際工作中，常用多層法計算結構像的襯度，以與實驗像相對比，從而確定晶體的結構和缺陷。圍繞著結構像成像技術、成像理論、理論像模擬計算和圖像處理等工作的發展，在電子顯微學的領域中，形成了一個高分辨電子顯微學的新分支。 參考書目 襯技術見電子衍襯像和點陣像技術。

概述

圖1

用透射電子顯微鏡拍攝的晶體點陣像，它能反映出晶體的點陣周期。50年代中期發展了兩種成像技術。即衍襯技術（見電子衍襯像）和點陣像技術。

衍襯技術

當透射電子束和衍射電子束(至少一個衍射電子束)同時參與成像時，透射束與衍射束相互干涉，形成一個反映晶體點陣周期的條紋像。若只令通過倒易點陣原點的一列衍射束成像，則得到一維點陣像，像上呈一系列相互平行的等間距條紋（圖1中的A 區和B 區）。或者，條紋間距不完全相等，但能周期重複（圖1的C區）其間距或重複周期等於產生該列衍射的晶面族之間距(見電子衍射)。

點陣像技術

圖2

1956年J.W.門特首先拍攝到酞菁銅和酞菁鉑的一維點陣像，分辨開了間距為 10～12┱的晶面族。令不在一列上的若干衍射束(三束以上)成像時,得到二維點陣像（圖2）。其中的斑點(或條紋)代表晶體點陣在像平面上的投影。因此，從一維和二維點陣像上能直觀地看到晶體點陣的周期，晶體中的位錯、層錯以及異類晶體的交生等也都能在點陣像上直觀地反映出來（圖1）。 　拍攝點陣像時，依入射束是否與電子顯微鏡的光軸重合，是否通過物鏡光闌中心而有對稱照明與傾斜照明之分。點陣像的解析度除與電子顯微鏡的分辨本領有直接關係外,還取決於參與成像衍射束的最大空間頻率(見光學信息處理) ，但後者又因物鏡球差而不能隨意增大。

70年代初，電子顯微鏡的分辨本領已經達到原子量級。當用厚度小於100┱的極薄晶體拍攝高解析度的點陣像時，在合適的欠焦量下，這種高解析度的點陣像與晶體結構沿入射電子束方向的投影相似，不僅能反映出晶體點陣的周期，還可分辨出晶體結構中的原子或原子團，所以稱為結構像（圖3），可用來直接觀察晶體結構和晶體缺陷。

圖3

結構像的襯度屬相位襯度，可藉助電子衍射動力學理論來解釋。在實際工作中，常用多層法計算結構像的襯度，以與實驗像相對比，從而確定晶體的結構和缺陷。圍繞著結構像成像技術、成像理論、理論像模擬計算和圖像處理等工作的發展，在電子顯微學的領域中，形成了一個高分辨電子顯微學的新分支。

參考書目

J. M. Cowley, DiffRaction Physics, 2nd revised ed., North-Holland, Amsterdam, 1981.　J. C. H. Spence, Experimental High-resolution Electron Microscopy,Clarendon Press,Oxford,1980. 　李方華：《物理》，第8卷，第3期，第236頁,1979。