電子顯微鏡的現狀與展望
摘要:本文扼要介紹了電子顯微鏡的現狀與展望。透射電子顯微鏡方面主要有：高分辨電子顯微學及原子像的觀察，像差校正電子顯微鏡，原子尺度電子全息學，表面的高分辨電子顯微正面成像，超高壓電子顯微鏡，中等電壓電鏡，120kV,100kV分析電鏡，場發射槍掃描透射電鏡及能量選擇電鏡等，透射電鏡將又一次面臨新的重大突破；掃描電子顯微鏡方面主要有：分析掃描電鏡和X射線能譜儀、X射線波譜儀和電子探針儀、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡、超大試樣室掃描電鏡、環境掃描電鏡、掃描電聲顯微鏡、測長／缺陷檢測掃描電鏡、晶體學取向成像掃描電子顯微術和計算機控制掃描電鏡等。掃描電鏡的分辨本領可望達到0.2—0.3nm並觀察到原子像。
關鍵字：透射電子顯微鏡掃描電子顯微鏡儀器製造與發展
電子顯微鏡(簡稱電鏡，EM)經過五十多年的發展已成為現代科學技術中不可缺少的重要工具。我國的電子顯微學也有了長足的進展。電子顯微鏡的創製者魯斯卡(E.Ruska)教授因而獲得了1986年諾貝爾獎的物理獎。
電子與物質相互作用會產生透射電子，彈性散射電子，能量損失電子，二次電子，背反射電子，吸收電子，X射線，俄歇電子，陰極發光和電動力等等。電子顯微鏡就是利用這些信息來對試樣進行形貌觀察、成分分析和結構測定的。電子顯微鏡有很多類型，主要有透射電子顯微鏡(簡稱透射電鏡，TEM)和掃描電子顯微鏡(簡稱掃描電鏡，SEM)兩大類。掃描透射電子顯微鏡(簡稱掃描透射電鏡，STEM)則兼有兩者的性能。為了進一步表征儀器的特點，有以加速電壓區分的，如：超高壓(1MV)和中等電壓(200—500kV)透射電鏡、低電壓(～1kV)掃描電鏡；有以電子槍類型區分的，如場發射槍電鏡；有以用途區分的，如高分辨電鏡，分析電鏡、能量選擇電鏡、生物電鏡、環境電鏡、原位電鏡、測長CD-掃描電鏡；有以激發的信息命名的，如電子探針X射線微區分析儀(簡稱電子探針，EPMA)等。
半個多世紀以來電子顯微學的奮鬥目標主要是力求觀察更微小的物體結構、更細小的實體、甚至單個原子，並獲得有關試樣的更多的信息，如標征非晶和微晶，成分分布，晶粒形狀和尺寸，晶體的相、晶體的取向、晶界和晶體缺陷等特徵，以便對材料的顯微結構進行綜合分析及標征研究〔3〕。近來，電子顯微鏡(電子顯微學)，包括掃描隧道顯微鏡等，又有了長足的發展。本文僅討論使用廣泛的透射電鏡和掃描電鏡，並就上列幾個方面作一簡要介紹。部分透射電鏡和掃描電鏡的主要性能可參閱文獻。
透射電子顯微鏡
1、高分辨電子顯微學及原子像的觀察
材料的巨觀性能往往與其本身的成分、結構以及晶體缺陷中原子的位置等密切相關。觀察試樣中單個原子像是科學界長期追求的目標。一個原子的直徑約為1千萬分之2—3mm。因此，要分辨出每個原子的位置需要0.1nm左右的分辨本領，並把它放大約1千萬倍。70年代初形成的高分辨電子顯微學(HREM)是在原子尺度上直接觀察分析物質微觀結構的學科。計算機圖像處理的引入使其進一步向超高解析度和定量化方向發展，同時也開闢了一些嶄新的套用領域。例如，英國醫學研究委員會分子生物實驗室的A.Klug博士等發展了一套重構物體三維結構的高分辨圖像處理技術，為分子生物學開拓了一個嶄新的領域。因而獲得了1982年諾貝爾獎的化學獎，以表彰他在發展晶體電子顯微學及核酸—蛋白質複合體的晶體學結構方面的卓越貢獻。
用HREM使單個原子成像的一個嚴重困難是信號／噪聲比太小。電子經過試樣後，對成像有貢獻的彈性散射電子(不損失能量、只改變運動方向)所占的百分比太低，而非彈性散射電子(既損失能量又改變運動方向)不相干，對成像無貢獻且形成亮的背底(亮場)，因而非周期結構試樣中的單個原子像的反差極小。在檔去了未散射的直透電子的暗場像中，由於提高了反差，才能觀察到其中的重原子，例如鈾和釷—BTCA中的鈾(Z＝92)和釷(Z＝90)原子。對於晶體試樣，原子陣列會加強成像信息。採用超高壓電子顯微鏡和中等加速電壓的高亮度、高相干度的場發射電子槍透射電鏡在特定的離焦條件(Scherzer欠焦)下拍攝的薄晶體高分辨像可以獲得直接與晶體原子結構相對應的結構像。再用圖像處理技術，例如電子晶體學處理方法，已能從一張200kV的JEM-2010F場發射電鏡(點分辨本領0.194nm)拍攝的解析度約0.2nm的照片上獲取超高解析度結構信息，成功地測定出解析度約0.1nm的晶體結構。
2.像差校正電子顯微鏡
電子顯微鏡的分辨本領由於受到電子透鏡球差的限制，人們力圖像光學透鏡那樣來減少或消除球差。但是，早在1936年Scherzer就指出，對於常用的無空間電荷且不隨時間變化的鏇轉對稱電子透鏡，球差恆為正值。在40年代由於兼顧電子物鏡的衍射和球差，電子顯微鏡的理論分辨本領約為0.5nm。校正電子透鏡的主要像差是人們長期追求的目標。經過50多年的努力，1990年Rose提出用六極校正器校正透鏡像差得到無像差電子光學系統的方法。最近在CM200ST場發射槍200kV透射電鏡上增加了這種六極校正器，研製成世界上第一台像差校正電子顯微鏡。電鏡的高度僅提高了24cm，而並不影響其它性能。分辨本領由0.24nm提高到0.14nm。在這台像差校正電子顯微鏡上球差係數減少至0.05mm(50μm)時拍攝到了GaAs〈110〉取向的啞鈴狀結構像，點間距為0.14nm。
3、原子尺度電子全息學
Gabor在1948年當時難以校正電子透鏡球差的情況下提出了電子全息的基本原理和方法。論證了如果用電子束製作全息圖，記錄電子波的振幅和位相，然後用光波進行重現，只要光線光學的像差精確地與電子光學的像差相匹配，就能得到無像差的、解析度更高的像。由於那時沒有相干性很好的電子源，電子全息術的發展相當緩慢。後來，這種光波全息思想套用到雷射領域，獲得了極大的成功。Gabor也因此而獲得了諾貝爾物理獎。隨著Mollenstedt靜電雙稜鏡的發明以及點狀燈絲，特別是場發射電子槍的發展，電子全息的理論和實驗研究也有了很大的進展，在電磁場測量和高分辨電子顯微像的重構等方面取得了豐碩的成果〔9〕。Lichte等用電子全息術在CM30
FEG/ST型電子顯微鏡(球差係數Cs＝1.2mm)上以1k×1k的慢掃描CCD相機，獲得了0.13nm的分辨本領。目前，使用剛剛安裝好的CM30
FEG/UT型電子顯微鏡(球差係數Cs＝0.65mm)和2k×2k的CCD相機，已達到0.1nm的信息極限分辨本領。
4、表面的高分辨電子顯微正面成像
如何區分表面和體點陣周期從而得到試樣的表面信息是電子顯微學界一個長期關心的問題。目前表面的高分辨電子顯微正面成像及其圖像處理已得到了長足的進展，成功地揭示了Si〔111〕表面(7×7)重構的細節，不僅看到了掃描隧道顯微鏡STM能夠看到的處於表面第一層的吸附原子(adatoms)，而且看到了頂部三層的所有原子，包括STM目前還難以看到的處於第三層的二聚物(dimers)，說明正面成像法與目前認為最強有力的，在原子水平上直接觀察表面結構的STM相比，也有其獨到之處。李日升等以Cu〔110〕晶膜表面上觀察到了由Cu-O原子鏈的吸附產生的(2×1)重構為例，採用表面的高分辨電子顯微正面成像法，表明對於所有的強周期體系，均存在襯度隨厚度呈周期性變化的現象，對一般厚膜也可進行高分辨表面正面像的觀測。
5、超高壓電子顯微鏡
近年來，超高壓透射電鏡的分辨本領有了進一步的提高。JEOL公司製成1250kV的JEM-ARM
1250／1000型超高壓原子解析度電鏡，點分辨本領已達0.1nm，可以在原子水平上直接觀察厚試樣的三維結構。日立公司於1995年製成一台新的3MV超高壓透射電鏡，分辨本領為0.14nm。超高壓電鏡分辨本領高、對試樣的穿透能力強(1MV時約為100kV的3倍)，但價格昂貴，需要專門建造高大的實驗室，很難推廣。
6、中等電壓電子顯微鏡
中等電壓200kV\,300kV電鏡的穿透能力分別為100kV的1.6和2.2倍，成本較低、效益／投入比高，因而得到了很大的發展。場發射透射電鏡已日益成熟。TEM上常配有鋰漂移矽Si(Li)X射線能譜儀(EDS)，有的還配有電子能量選擇成像譜儀，可以分析試樣的化學成分和結構。原來的高分辨和分析型兩類電鏡也有合併的趨勢：用計算機控制甚至完全通過計算機軟體操作，採用球差係數更小的物鏡和場發射電子槍，既可以獲得高分辨像又可進行納米尺度的微區化學成分和結構分析，發展成多功能高分辨分析電鏡。JEOL的200kV
JEM-2010F和300kVJEM-3000F，日立公司的200kVHF-2000以及荷蘭飛利浦公司的200kVCM200FEG和300kVCM300FEG型都屬於這種產品。目前，國際上常規200kVTEM的點分辨本領為0.2nm左右，放大倍數約為50倍—150萬倍。
7、120kV\,100kV分析電子顯微鏡
生物、醫學以及農業、藥物和食品工業等領域往往要求把電鏡和光學顯微鏡得到的信息聯繫起來。因此，一種在獲得高分辨像的同時還可以得到大視場高反差的低倍顯微像、操作方便、結構緊湊，裝有EDS的計算機控制分析電鏡也就應運而生。例如，飛利浦公司的CM120
Biotwin電鏡配有冷凍試樣台和EDS，可以觀察分析反差低以及對電子束敏感的生物試樣。日本的JEM-1200電鏡在中、低放大倍數時都具有良好的反差，適用於材料科學和生命科學研究。目前，這種多用途120kV透射電鏡的點分辨本領達0.35nm左右。
8、場發射槍掃描透射電子顯微鏡
場發射掃描透射電鏡STEM是由美國芝加哥大學的A.V.Crewe教授在70年代初期發展起來的。試樣後方的兩個探測器分別逐點接收未散射的透射電子和全部散射電子。彈性和非彈性散射電子信息都隨原子序數而變。環狀探測器接收散射角大的彈性散射電子。重原子的彈性散射電子多，如果入射電子束直徑小於0.5nm，且試樣足夠薄，便可得到單個原子像。實際上STEM也已看到了γ-alumina支持膜上的單個Pt和Rh原子。透射電子通過環狀探測器中心的小孔，由中心探測器接收，再用能量分析器測出其損失的特徵能量，便可進行成分分析。為此，Crewe發展了亮度比一般電子槍高約5個量級的場發射電子槍FEG：曲率半徑僅為100nm左右的鎢單晶針尖在電場強度高達100MV/cm的作用下，在室溫時即可產生場發射電子，把電子束聚焦到0.2—1.0nm而仍有足夠大的亮度。英國VG公司在80年代開始生產這種STEM。最近在VGHB5FEGSTEM上增加了一個電磁四極—八極球差校正器，球差係數由原來的3.5mm減少到0.1mm以下。進一步排除各種不穩定因素後，可望把100kVSTEM的暗場像的分辨本領提高到0.1nm。利用加速電壓為300kV的VG-HB603U型獲得了Cu〈112〉的電子顯微像：0.208nm的基本間距和0.127nm的晶格像。期望物鏡球差係數減少到0.7mm的400kV儀器能達到更高的分辨本領。這種UHV-STEM儀器相當複雜，難以推廣。
9、能量選擇電子顯微鏡
能量選擇電鏡EF-TEM是一個新的發展方向。在一般透射電鏡中，彈性散射電子形成顯微像或衍射花樣；非彈性散射電子則往往被忽略，而近來已用作電子能量損失譜分析。德國Zeiss-Opton公司在80年代末生產的EM902A型生物電鏡，在成像系統中配有電子能量譜儀，選取損失了一定特徵能量的電子來成像。其主要優點是：可觀察0.5μm的厚試樣，對未經染色的生物試樣也能看到高反差的顯微像，還能獲得元素分布像等。目前Leica與Zeiss合併後的LEO公司的EM912Omega電鏡裝有Ω-電子能量過濾器，可以濾去形成背底的非彈性散射電子和不需要的其它電子，得到具有一定能量的電子信息，進行能量過濾會聚束衍射和成像，清晰地顯示出原來被掩蓋的微弱顯微和衍射電子花樣。該公司在此基礎上又發展了200kV的全自動能量選擇TEM。JEOL公司也發展了帶Ω-電子能量過濾器的JEM2010FEF型電子顯微鏡，點分辨本領為0.19nm，能量解析度在100kV和200kV時分別為2.1μm/eV和1.1μm/eV。日立公司也報導了用EF-1000型γ形電子能量譜成像系統，在TEM中觀察到了半導體動態隨機存取存儲器DRAM中厚0.5μm切片的清晰剖面顯微像。
美國GATAN公司的電子能量選擇成像系統裝在投影鏡後方，可對電子能量損失譜Eels選擇成像。可在幾秒鐘內實現線上的數據讀出、處理、輸出、及時了解圖像的質量，據此自動調節有關參數，完成自動合軸、自動校正像散和自動聚焦等工作。例如，在400kV的JEM-4000EX電鏡上用PEELS得到能量選擇原子像，並同時完成EELS化學分析。
透射電鏡經過了半個多世紀的發展已接近或達到了由透鏡球差和衍射差所決定的0.1—0.2nm的理論分辨本領。人們正在探索進一步消除透鏡的各種像差〔20〕，在電子槍後方再增加一個電子單色器，研究新的像差校正法，進一步提高電磁透鏡和整個儀器的穩定性；採用並進一步發展高亮度電子源場發射電子槍，X射線譜儀和電子能量選擇成像譜儀，慢掃描電荷耦合器件CCD，冷凍低溫和環境試樣室，納米量級的會聚束微衍射，原位實時分析，錐狀掃描晶體學成像(ConicalScanCrystallography)，全數字控制，圖像處理與現代信息傳送技術實現遠距離操作觀察，以及克服試樣本身帶來的各種限制，透射電鏡正面臨著一個新的重大突破。
掃描電子顯微鏡
1、分析掃描電鏡和X射線能譜儀
目前，使用最廣的常規鎢絲陰極掃描電鏡的分辨本領已達3.5nm左右，加速電壓範圍為0.2—30kV。掃描電鏡配備X射線能譜儀EDS後發展成分析掃描電鏡，不僅比X射線波譜儀WDS分析速度快、靈敏度高、也可進行定性和無標樣定量分析。EDS發展十分迅速，已成為儀器的一個重要組成部分，甚至與其融為一體。但是，EDS也存在不足之處，如能量解析度低，一般為129—155eV,以及Si(Li)晶體需在低溫下使用(液氮冷卻)等。X射線波譜儀解析度則高得多，通常為5—10eV，且可在室溫下工作。1972年起EDAX公司發展了一種ECON系列無視窗探測器，可滿足分析超輕元素時的一些特殊需求，但Si(Li)晶體易受污染。1987年Kevex公司開發了能承受一個大氣壓力差的ATW超薄窗，避免了上述缺點，可以探測到B，C，N，O等超輕元素，為大量套用創造了條件。目前，美國Kevex公司的Quantifier,Noran公司的Extreme,Link公司的Ultracool,EDAX公司的Sapphire等Si(Li)探測器都屬於這種單視窗超輕元素探測器，解析度為129eV，133eV等，探測範圍擴展到了5B—92U。為克服傳統Si(Li)探測器需使用液氮冷卻帶來的不便，1989年Kevex公司推出了可不用液氮的superdry探測器，Noran公司也生產了用溫差電製冷的Freedom探測器(配有小型冷卻循環水機)，和壓縮機製冷的Cryocooled探測器。這兩種探測器必須晝夜24小時通電，適合於無液氮供應的單位。現在使用的大多還是改進的液氮冷卻Si(Li)探測器，只需在實際工作時加入液氮冷卻，平時不必維持液氮的供給。最近發展起來的高純鍺Ge探測器，不僅提高了解析度，而且擴大了探測的能量範圍(從25keV擴展到100keV)，特別適用於透射電鏡：如Link的GEM型的解析度已優於115eV(MnKα)和65eV(FKα)，Noran的Explorer
Ge探測器，探測範圍可達100keV等。1995年中國科學院上海原子核研究所研製成了Si(Li)探測器，能量解析度為152eV。中國科學院北京科學儀器研製中心也生產了X射線能譜分析系統Finder-1000，硬體借鑑Noran公司的功能電路，配以該公司的探測器，採用Windows作業系統，開發了自己的圖形化能譜分析系統程式。
2、X射線波譜儀和電子探針儀
現代SEM大多配置了EDS探測器以進行成分分析。當需低含量、精確定量以及超輕元素分析時，則可再增加1到4道X射線波譜儀WDS。Microspec公司的全聚焦wdx-400，WDX-600型分別配有4塊和6塊不同的衍射晶體，能檢測到5B(4Be)以上的各種元素。該譜儀可以傾斜方式裝在掃描電鏡試樣室上，以便對水平放置的試樣進行分析，而不必如垂直譜儀那樣需用光學顯微鏡來精確調整試樣離物鏡的工作距離。
為滿足大量多元素試樣的超輕元素，低含量，高速定性、定量常規分析的需求，法國Cameca公司長期生產電子探針儀，SX50和SXmacro型配備4道WDS及1道EDS，物鏡內裝有同軸光學顯微鏡可以隨時觀察分析區域。島津公司最近生產的計算機控制EPMA-1600型電子探針，可配置2—5道WDS和1道EDS，試樣最大尺寸為100mm×100mm×50mm(厚)，二次電子圖像解析度為6nm。JEOL公司也生產了計算機控制的JXA-8800電子探針和JXA-8900系列WD／ED綜合顯微分析系統—超電子探針，可裝5道X射線光譜儀和1道X射線能譜儀，元素分析範圍為5B—92U，二次電子圖像解析度為6nm。
Noran公司下屬的Peak公司最近發展了一種嶄新的APeX全參數X射線光譜儀，與傳統的機械聯動機構完全不同，由計算機控制6個獨立的伺服馬達分別調節分光晶體的位置和傾角以及X射線探測器的X、Y坐標和狹縫寬度。配有4塊標準的分光晶體可分析5B(4Be)以上的元素。羅蘭圓半徑隨分析元素而變，可分別為170，180，190和200mm，以獲得最高的計數率，提高了分析精度和靈活性。Noran公司還推出了稱為MAXray的X射線平行束光譜儀，將最新的X光學研究成果——準平行束整體X光透鏡置於試樣上的X射線發射點和分析晶體之間，提高了接收X射線的立體角，比一般WDS的強度提高了50倍左右。可分析100eV—1.8keV能量範圍內的K、L、M線，特別有利於低電壓、低束流分析，對Be、B、C、N、O和F的解析度可高達5—15eV，兼有WDS的高解析度和EDS的高收集效率。這兩種新型X射線光譜儀可望得到廣泛的套用。
3、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡
場發射掃描電鏡得到了很大的發展〔24〕。日立公司推出了冷場發射槍掃描電鏡，Amray公司則生產熱場發射槍掃描電鏡，不僅提高了常規加速電壓時的分辨本領，還顯著改善了低壓性能。低壓掃描電鏡LVSEM由於可以提高成像的反差，減少甚至消除試樣的充放電現象並減少輻照損傷，因此受到了人們的囑目。JEOL公司的JSM-6000F型場發射超高分辨SEM的分辨本領在加速電壓30kV時達0.6nm，已接近TEM的水平，但試樣必須浸沒入物鏡的強磁場中以減少球差的影響，所以尺寸受到限制，最大為23mm×6mm×3mm(厚)。試樣半浸沒在物鏡磁場中的場發射JSM-6340F型可以觀察大試樣，加速電壓15kV時分辨本領為1.2nm，低壓1kV時為2.5nm。這兩種SEM由於試樣要處在磁場中所以不能觀察磁性材料。使用CF校正場小型物鏡可觀察大試樣的場發射JSM-6600F型分辨本領為2.5nm(1kV時為8nm)。日立公司也供應這幾類產品如S-5000，S-4500和S-4700型。
4、超大試樣室掃描電鏡
德國Visitec捷高公司的超大試樣室Mira型掃描電鏡。被檢物的最大尺寸可為直徑700mm，高600mm，長1400mm，最大重量可達300公斤，真空室長1400，寬1100和高1200mm。分辨本領4nm，加速電壓0.3kV—20kV。是一種新的計算機控制、非破壞性的檢查分析測試裝置，可用於工業產品的生產，質量管理，微機加工和工藝品的檢查研究等。
5、環境掃描電鏡
80年代出現的環境掃描電鏡ESEM，根據需要試樣可處於壓力為1—2600Pa不同氣氛的高氣壓低真空環境中，開闢了新的套用領域。與試樣室內為10-3Pa的常規高真空SEM不同，所以也可稱為低真空掃描電鏡LV-SEM。在這種低真空環境中，絕緣試樣即使在高加速電壓下也不會因出現充、放電現象而無法觀察；潮濕的試樣則可保持其原來的含水自然狀態而不產生形變。因此，ESEM可直接觀察塑膠、陶瓷、紙張、岩石、泥土，以及疏鬆而會排放氣體的材料和含水的生物試樣，無需先噴塗導電層或冷凍乾燥處理。1990年美國Electro
Scan公司首先推出了商品ESEM。為了保證試樣室內的高氣壓低真空環境，LV-SEM的真空系統須予以特殊考慮。目前，Amray,Hitachi,JEOL和LEO等公司都有這種產品。試樣室為6—270Pa時，JSM—5600LV—SEM的分辨本領已達5.0nm，自動切換到高真空狀態後便如常規掃描電鏡一樣，分辨本領達3.5nm。中國科學院北京科學儀器研製中心與化工冶金研究所合作，發展KYKY-1500高溫環境掃描電子顯微鏡，試樣最高溫度可達1200℃，最高氣壓為2600Pa；800℃時解析度為60nm，觀察了室溫下的濕玉米澱粉顆粒斷面、食鹽的結晶粒子，以及在50Pa，900℃時鐵礦中的針形Fe\-2O\-3等試樣。
6、掃描電聲顯微鏡
80年代初問世的掃描電聲顯微鏡SEAM，採用了一種新的成像方式：其強度受頻閃調製的電子束在試樣表面掃描，用壓電感測器接收試樣熱、彈性微觀性質變化的電聲信號，經視頻放大後成像。能對試樣的亞表面實現非破壞性的剖面成像。可套用於半導體、金屬和陶瓷材料，電子器件及生物學等領域。中國科學院北京科學儀器研製中心也發展了這種掃描電聲顯微鏡，空間分辨本領為0.2—0.3μm。最近，中國科學院上海矽酸鹽研究所採用數字掃描發生器控制電子束掃描等技術，提高了信噪比，使SEAM的圖像質量得到了很大的改進。
7、測長／缺陷檢測掃描電鏡
SEM不但在科學研究而且在工農業生產中得到了廣泛的套用，特別是電子計算機產業的興起使其得到了很大的發展。目前半導體超大規模積體電路每條線的製造寬度正由0.25μm向0.18μm邁進。作為半導體積體電路生產線上Si片的常規檢測工具，美國Amray公司推出了一種缺陷檢測3800型DRT掃描電鏡，採用了加熱到1800K的ZrO/W陰極肖脫基熱場發射電子槍，具有良好的低加速電壓性能：1kV時分辨本領達4nm，而且電子束流的穩定度優於1%/h、可長期連續工作，對直徑為100，125，150，200mm的Si片，每小時可檢測100個缺陷。日立公司為了克服以往在室溫下工作的冷場發射槍測長掃描電鏡(CD-SEM)因需要進行閃爍處理以去除發射尖上所吸附的氣體分子而經常中斷工作、影響在生產線上套用的缺點，最近也推出了這種ZrO/W陰極熱場發射電子槍的S-8000系列CD-SEM。為了克服熱場發射比冷場發射槍電子能量分散大的缺點，設計了阻滯場電磁物鏡，並改進了二次電子探測器，在加速電壓為800V時分辨本領為5nm，可以每小時20片，每片5個檢測點的速度連續檢測125—200mm直徑的Si〔1,28〕。
8、晶體學取向成像掃描電子顯微術
SEM的另一個新發展方向是以背散射電子衍射圖樣(EBSP)為基礎的晶體學取向成像電子顯微術(OIM)。在SEM上增加一個可將試樣傾動約70度的裝置，CCD探測器和數據處理計算機系統，掃描並接收記錄塊狀試樣表面的背散射電子衍射花樣(背散射菊池花樣)，按試樣各部分不同的晶體取向分類成像來獲得有關晶體結構的信息，可顯示晶粒組織、晶界和裂紋等，也可用於測定織構和晶體取向。可望發展成SEM的一個標準附屬檔案。1996年美國TSL(TexSemLaboratories,Inc.)公司推出了TSL
OIM系統，空間分辨本領已優於0.2μm，比原理相似的電子通道圖樣(ECP)提高了一個量級，在0.4秒鐘內即能完成一張衍射圖樣的自動定標工作。英國牛津集團顯微分析儀器Link-OPAL公司的EBSD結晶學分析系統，目前已用於Si片上Al連線的取向分析，以判斷其質量的優劣及可行性。
9、計算機控制掃描電鏡
90年代初，飛利浦公司推出了XL系列掃描電鏡。在保持重要功能的同時，減少了操作的複雜性。儀器完全由計算機軟體控制操作。許多參量(焦距、像散校正和試樣台移動速度等)和調節靈敏度都會根據顯微鏡的工作狀態作自適應變化和耦合，可迅速而準確地改變電鏡的主要參數。EDS完全與XL系統實現了一體化。該公司1995年生產了XL40
FEG等場發射掃描電鏡。日立，JEOL等也先後推出了計算機控制的掃描電鏡。
場發射掃描電鏡的分辨本領最高已達到0.6nm，接近了透射電鏡的水平，並得到了廣泛的套用，但尚不能分辨原子。如何進一步提高掃描電鏡的圖像質量和分辨本領是人們十分關注的問題。JoyDC指出：由於分辨本領受到試樣表面二次電子SE擴散區大小的基本限制，採取適當措施如噴鍍一超薄金屬層或布洛赫波隧穿效應(BlochWaveChanneling)等來限制SE擴散區的尺寸，二次電子分辨本領可望達到0.2—0.3nm，並進而觀察原子像。現代SEM電子束探針的半高寬FWHM已達0.3nm，場發射電子槍也已具有足夠高的亮度。因此在電子光學方面目前並不構成對SE分辨本領的基本限制。然而，對SEM的機械設計如試樣台的漂移和震動等尚未給予足夠的、如對掃描隧道顯微鏡那樣的重視、二次電子探測器的信噪比和反差還不夠理想，也影響了分辨本領。此外，SE分辨本領的定義和測定方法，SEM圖像處理等也不如透射電子顯微鏡那么嚴格和完善。這些問題的解決必將進一步提高SEM的圖像質量和分辨本領。
參考文獻
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〔4〕郭可信.晶體電子顯微學與諾貝爾獎.電子顯微學報，1983，2(2)∶1—5.
