電介質的中心峰

一種認為中心峰的起因是在高溫相中,當溫度接近Tc時,會出現一些近程有序的“團”(稱微疇),微疇的產生和疇壁的運動形成中心峰現象。 一種認為中心峰的起因是軟模與晶體中雜質、缺陷的耦合,這種耦合可能在溫度近Tc時形成一些局部的有序化區域,它們的散射形成中心峰。

電介質的中心峰

正文

1971年,T.里斯特在用中子散射方法去觀察鈦酸鍶(SrTiO3)的相變時,發現在立方-四方相變溫度(相變溫度Tc=150K)附近,除了有對應於這種結構相變的軟模的散射峰外,還有一個很窄的準彈性散射的峰,它隨溫度趨於Tc而迅速增強。這些年來,已用各種實驗手段(包括中子散射、光散射、磁共振、穆斯堡爾譜、超聲、介電色散等)在許多種材料的結構相變中看到類似的現象。人們把這個準彈性峰叫做中心峰。儘管不同實驗手段觀察到的中心峰形狀略有不同,但有兩點是共同的,一是它很窄,寬度只有軟模的寬度的103到105分之一。二是在溫度趨於Tc時,它的強度臨界發散。對於中心峰現象目前還沒有一個滿意的理論解釋。最先的解釋是把它看作是軟模與系統內部的某些低頻漲落相耦合的結果。如把軟模當作是簡單的阻尼振子,那些低頻漲落當作是簡單的弛豫型的漲落,可以得到有中心峰的系統回響函式,適當選擇參數亦能唯象地說明一些實驗現象。也有人認為這些低頻漲落是晶體中聲子密度的漲落。但這個模型難以說明中心峰與相變的本質聯繫,也難以解釋它為什麼如此窄。後來人們又提出兩種類型的解釋。一種認為中心峰的起因是在高溫相中,當溫度接近Tc時,會出現一些近程有序的“團”(稱微疇),微疇的產生和疇壁的運動形成中心峰現象。一種認為中心峰的起因是軟模與晶體中雜質、缺陷的耦合,這種耦合可能在溫度近Tc時形成一些局部的有序化區域,它們的散射形成中心峰。這兩種解釋都有某些根據,但都同樣不能為人們所普遍接受。

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