雙極擴散係數

/Dp) (p/Dn Dp)

半導體中載流子的擴散係數就是表征在濃度梯度驅動下擴散運動快慢的一個重要物理參量。一般多是指一種載流子（主要是少數載流子）的擴散係數。但是如果在大注入情況下，電子和空穴的濃度相當，其作用也都同等重要，因此載流子的擴散係數和壽命就需要採用另外等效的相關物理量來表示，這就是雙極擴散係數和雙極壽命。
對於輕摻雜半導體，雙極擴散係數為 Da = (n + p) / [ (n/Dp) + (p/Dn) ] ，雙極壽命為 τa = -Δp / U = -Δn / U 。
在大注入極限時，Da = 2 Dn Dp / (Dn + Dp) = 2 Dn / (1+ b) , τa = τn +τp 。對Si：b≡μn /μp = 3，Da = 1.5 Dp = 0.5 Dn 。式中Dp和Dn分別是空穴和電子的擴散係數，τn和τp 分別是電子和空穴的壽命。