人物簡介
取得的主要學術成績：研製成功具有室溫鐵磁性的稀磁半導體GaMnSb和GaMnN薄膜；創建了非破壞性定量檢測砷化鎵單晶化學配比的方法，及顯示砷化鎵單晶缺陷的超聲腐蝕方法；系統研究了半絕緣砷化鎵單晶的化學配比與生長工藝之間的關係，為改善砷化鎵單晶的化學配比，提高單晶質量提供了可靠依據；對太空生長的半絕緣砷化鎵單晶進行了材料性能研究，及微波器件套用研究；揭示了砷化鎵單晶化學配比對單晶均勻性、完整性、生長重複性和套用通用性的重要影響。
完成/在研主要項目
“973”項目：系統晶片中新器件新工藝的基礎研究，子項目：新型柵結構材料相關問題研究（2000-2004）。
“973”項目：新一代化合物半導體電子器件與電路研究，子項目：新型低維結構功能器件和三端邏輯功能器件（2002-2006）。
中科院創新項目：微重力環境半導體材料生長（2003-2005）。
自然科學基金項目：稀磁半導體(Ga, Mn)As研究（2002-2004）。
代表性論文
NuoFu Chen, Ultrasonic etching of GaAs in CrO3-HF aqueous solutions, J. Cryst. Growth, 129 (4), 777 (1993).
NuoFu Chen, Xiulan Zhang, Yiwen Deng, Degradation related defects in AlGaAs/GaAs visible lasers, J. Cryst. Growth, 148 (2), 219 (1995).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors, Phys. Rev. B54 (12), 8516 (1996).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (10A), L1238 (1996).
N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, O. Oda, Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide, Appl. Phys. Lett. 69 (25), 3890 (1996).
NuoFu Chen, Xingru Zhong, Lanying Lin, Xie Xie, Mian Zhang, 2000, Semi-insulating GaAs grown in outer space, Materials Scienceand Engineering B75, 134-138 (2000).
NuoFu Chen, Point Defects in III-V Compound Semiconductors，Defect and Diffusion Forum, 183-185, 85-94 (2000).
NuoFu Chen, X. R. Zhong, L. Y. Lin, M. Zhang, Y. Wang, X. Bai, J. Zhao, Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates, Appl. Phys. Lett. 78(4), 478 (2001).
Chen Nuofu, Zhang Fuqiang, Yang Junling, Liu Zhikai, Yang Shaoyan, Chai Chunlin, Wang Zhanguo, Hu Wenrui, Lin Lanying, Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb, Chinese Science Bulletin, 48(6), 516-518 (2003).
