名詞介紹
閉[自]鎖效應(latch-up effect):
這是某些器件或積體電路中發生像晶閘管（可控矽，SCR）那樣的柵極（控制極）能夠控制導通、但是不能控制關斷的一種現象，是造成IC失效的一種重要原因。
晶閘管的結構是p-n-p-n，它可看成是由兩個BJT共用一個基區而組合起來的一種器件。它的柵極（控制極）電壓可以觸發晶閘管導通，但是柵極電壓不能使晶閘管關斷。對於器件 (例如CMOS反向器) 或者積體電路而言，如果其中存在有p-n-p-n這種晶閘管結構，只要有某些不定因素的觸發（例如在大電流脈衝干擾或輸入脈衝干擾，特別是γ射線的瞬時輻照）, 使得p-n-p-n結構出現正嚮導通時，即產生很大的電流，並且再也不能自己關斷，而這時若電源能提供足夠大的電流，從而就將引起器件失效。這種現象就稱為閉鎖效應。
產生自鎖
需要滿足的三個基本條件（只要有一個條件不滿足，即不能發生自鎖）是：①外界觸發作用使構成晶閘管的兩個寄生BJT的發射結正偏；②兩個寄生BJT具有一定的電流放大係數（兩個BJT電流放大係數的乘積應該>1）；③電源能提供足夠大的電流（要大於寄生SCR導通所需要的維持電流）。
為了消除閉鎖效應，可在版圖設計上、在工藝上和在測試上以及套用上來採取各種措施。例如減小各個寄生BJT的電流放大係數、減小CMOS中的襯底和n-阱的電阻、採用SOI-CMOS工藝技術等。
