錫須

2、錫須產生的原因 2、電鍍後鍍層的殘餘應力，導致錫須的生長。 3、錫須的解決方案

1、錫須是什麼？　
錫須（Tin whisker），是電子產品及設備中一種常見的現象。要說明錫須是什麼，首先來看晶須是什麼。 晶須是一種頭髮狀的晶體，它能從固體表面自然的生長出來，也稱為“固有晶須”。晶須在很多金屬上生長，最常見的是在錫、鎘、鋅、銻、銦等金屬上生長。甚至有時錫鉛合金上也會生長晶須，但發生機率較小。晶須很少出現在鉛、鐵、銀、金、鎳等金屬上面。一般來說，晶須現象容易出現在相當軟和延展性好的材料上，特別是低熔點金屬。
錫的晶須簡稱錫須，它是一種單晶體結構，導電。錫須的形狀一般是直的、扭曲的、溝狀、交叉狀等，有時也有中空的，外表面呈現溝槽。錫須直徑可以達到10微米，長度有時可以達到9毫米以上，其傳輸電流的能力可以達到10毫安，當傳輸電流較大時，錫須一般會被燒掉。
2、錫須產生的原因
錫鬚生長的速率一般在0.03——0.9mm/年，在一定條件下，生長速率可能增加100倍或者100倍以上。生長速率由鍍層的電鍍化學過程、鍍層厚度、基體材料、晶粒結構以及存儲環境條件等複雜因素決定。錫須的生長主要是有電鍍層上開始的，具有較長的潛伏期，從幾天到幾個月甚至幾年，一般很難準確預測錫須所帶來的危害。
一般來說，錫須有如下的產生原因：
1、錫與銅之間相互擴散，形成金屬互化物，致使錫層內壓應力的迅速增長，導致錫原子沿著晶體邊界進行擴散，形成錫須；
2、電鍍後鍍層的殘餘應力，導致錫須的生長。
3、錫須的解決方案
一般的解決措施：
1、電鍍霧錫，改變其結晶的結構，減小應力；
2、在150攝氏度下烘烤2小時退火；（實驗證明，在溫度90攝氏度以上，錫須將停止生長）
3、Enthone FST浸錫工藝添加少量的有機金屬添加劑，限制錫銅金屬互化物的生成；
4、在錫銅之間加一層阻擋層，如鎳層；
5、抑制錫須，現發現的最好辦法是在錫中添加鉛。但是由於鉛不環保，所以錫須的抑制還需要從其他角度來解決；
6、添加1～2%的黃金，也具有很好的抑制錫須的作用。