遠離β穩定線的核素
β+衰變(或軌道電子俘獲-下半圖)及β-衰變(上半圖)-模型圖 正文
在 核素圖（即以核素的質子數 Z和中子數 N為坐標的平面圖）上，離β穩定線較遠區域的核素。這些核素可經過正、負 β衰變轉變為β穩定的核素。對於奇 A 同量異位素（見 原子核），每一 A值一般只有一個β穩定核素，對於偶 A同量異位素，每一 A值可有兩個或兩個以上β穩定核素。
把β穩定核素標繪在 Z－ N平面上（見圖）。通過這些 β穩定核素區域中心( Z0， N0)所作的曲線叫做β穩定線。據經驗分析,得出β穩定線上的核素的 A與 Z0的關係為
的庫侖排斥能迅速增長，為了組成β穩定核素就需要一定數量的過剩中子,此時 N0/ Z0＞1。 A≥200時, N0/ Z0≈1.5；此種原子核儘管對β衰變穩定,但卻會發生 α衰變或自發裂變（見 核裂變）。 
遠離β穩定線的核素 在離開β穩定線幾個核子的區域以外，中子結合能和質子結合能分別為零的“ 中子滴落線”及“質子滴落線”以內的核素，屬於遠離β穩定線的核素。在這個區域內，除了已經合成的近千個核素外，理論上預言可能存在幾千個核素。產生這些核素的方法有：重離子核反應（見 重離子核物理），高能粒子引起的散裂反應（見 中高能核物理）和原子核裂變等。帶電粒子核反應，主要是重離子反應，產生的一般是缺中子核素；而裂變產生的是豐中子核素。由於這些核素的壽命非常短，需要用一些特殊的技術和設備，例如 線上同位素分離器，來對它們進行分離和研究。
遠離β穩定線核素具有一系列獨特的性質。它們的中子質子比異常，有的核子結合能很小，還有新的衰變方式，如高能β衰變、β延遲粒子發射、β延遲裂變等（見 β衰變）。這些新現象的研究和探索，將有助於檢驗和發展現有原子核理論，特別是核結構理論。某些新的核素還可能具有實用價值。
配圖
