簡介
連世陽(1938.8— )泉州人,1963年畢業於廈門大學物理系,後留系從事半導體物理與半導體器件研究與教學工作,現為物理系教授。
著作
編著出版《現代實驗方法概要》,合編出版《半導體器件工藝原理》。1980年後著重研究各種新方法並套用新的實驗設備研究半導體物理性質。在半導體的前沿課題之一“合金半導體的DX中心”的研究工作取得新進展。根據晶格動力論研究DX中心的物理起因和電荷態也取得新成果。學術論文分別在核心刊物、國際版學術刊物和國際學術會議上發表。1984年兩項科研項目獲福建省高校科技3等獎。